三星10nm FinFET製程技術進入量產 領先Intel、台積電

三星稍早確認，將在2017年正式進入10nm FinFET製程技術量產階段，預期將會用於製作三星旗下新款Exynos 8895處理器，同時也將協助Qualcomm製作下一款旗艦處理器Snapdragon 830。

相較Intel、台積電，三星以較快速度宣布旗下10nm FinFET製程技術確定可在2017年進入量產階段。若從時間點來看的話，三星預計將會透過10nm FinFET製程技術製作旗下新款旗艦處理器Exynos 8895，並且協助Qualcomm量產新款Snapdragon 830 (註)。

註：目前還無法確定Qualcomm新款旗艦處理器是否將以Snapdragon 830為稱，但從先前消息來看，Qualcomm確實已經著手打造全新處理器產品，預期將會在明年上半年陸續應用在市售產品，只是實際名稱等細節仍無法具體確認。

根據三星表示，10nm FinFET製程技術相比14nm FinFET製程技術將在相同供電情況提昇27%效能，同時在相同效能下降低40%電力損耗量，至於實際佔用面積也將縮減30%，讓處理器能進一步應用在更小、更薄的裝置。

除了三星宣布進軍10nm FinFET製程技術，先前Intel、台積電也宣布進入此規格製程技術發展，但因為技術瓶頸等問題，先前曾幾次宣布延後推出消息，但後續均確認將會在2017年內進入更小的製程技術發展，只是仍由三星搶先公布實際進入量產階段時程。

而相較三星、Intel、台積電均宣布進駐10nm FinFET製程技術，先前協助AMD生產處理器產品的GlobalFoundries則是宣布退離此項製程技術發展，但準備直接跨入更小的7nm FinFET製程發展。