(2011年4月25日，台北訊) –全球快閃記憶體領導廠商SanDisk® (NASDAQ: SNDK)今日宣佈推出採用全球最先進、19奈米記憶體製程技術之 64GB x2 (2-bits-per-cell)記憶體晶片。這項最新的技術將有助SanDisk日後針對手機、平板電腦與其他裝置，推出兼具高容量與小尺寸的嵌入式可抽取儲存裝置。
SanDisk計畫在本季將此19奈米64GB X2晶片送樣，並自2011年下半年開始量產。屆時，SanDisk也會將推出19奈米X3 (3-bits-per-cell)晶片。
SanDisk執行副總裁暨技術長Yoram Cedar表示：「我們很高興在和東芝(Toshiba)的持續合作下，領先業界推出這款採用19奈米製程技術，且尺寸最小、成本最低的NAND flash晶片。此成果主要針對日後更創新的應用、尺寸和消費者使用經驗所設計，預計也將持續推升快閃記憶體的產業發展至更高的境界。」
此項先進的19奈米裝置採用當今最精密的快閃記憶體製造技術，不僅在製程方面更為先進，也在元件設計上有所突破。SanDisk擁有專利All-Bit-Line (ABL) 架構，和多層資料儲存管理方案，有助於生產多層電路元(Multi-level Cell, MLC) NAND flash晶片，而無需擔心其效能或穩定度。
