高彈性低側柵極驅動器支援高效率與高電源密度
德州儀器 (TI) 宣佈推出一款用於配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效電晶體 (FET) 使用的低側柵極驅動器 (low-side gate driver)。最新 LM5114 可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的 GaN FET 與 MOSFET。該產品系列加上 2011 年推出的業界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅動器 LM5113，可為高效能電信、網路以及資料中心應用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉換驅動器解決方案。詳細資訊或訂購樣品與評估模組，請參見網頁：www.ti.com/lm5114-prtw。
LM5114 可透過 5 V 電源電壓的獨立源極與汲極輸出驅動標準 MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或並行 FET 的大功率應用中所需的 7.6 A 高峰值關斷電流功能。此外，提高的下拉強度 (pull-down strength) 還有助於該元件適當驅動 GaN FET。獨立源極與汲極輸出不但省去對驅動器路徑中二極體的需求，而且還可對升降時間實現嚴密控制。
TI 也於 2 月 6 日至 8 日在美國佛羅里達州奧蘭多舉辦的應用電源電子產品大會暨展覽會 (APEC) 上展示此一可充分發揮 GaN FET 技術優勢的 FET 驅動器產品系列，包括 LM5114、採用最新 micro SMD 封裝的 LM5113、將於今年 3 月份推出的接腳相容型 4 A/8 A UCC27511 低側柵極驅動器以及其它產品。APEC 為電源電子專業人士的重要展會之一。
LM5114 低側柵極驅動器主要特性與優勢：
· 可優化升降時間的獨立源極與汲極輸出支援更高的效率；
· +4 V 至 +12.6 V 單電源支援各種應用；
· 0.23 Ω 的開汲極 (open-drain) 下拉汲極輸出可避免無意接通；
· 7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅動器電流可最大限度減少時間改變的電壓改變(DV/DT) 影響；
· 匹配反相及非反相輸入之間的延遲時間，可降低停滯時間 (dead time) 損耗；
· 12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時，支援高開關頻率；
· 高達 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）；
· -40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。
供貨、封裝與價格
LM5114 現已開始大量供貨，可透過 TI 及其授權通路商進行訂購。該元件採用 6 接腳 SOT-23 封裝或裸焊盤 (exposed pad) 6 接腳 LLP 封裝，每千顆單位建議零售價格為 0.58 美金。
TI 電源管理產品系列：
· 最新 GaN FET 驅動器的樣品與評估板訂購：www.ti.com/lm5114-pr；
· TI 全系列 GaN FET 驅動器解決方案：www.ti.com/gan-pr；
· LM5113 的實驗室解說影片：http://www.ti.com/lm5113-prv；
· 參與 TI E2E™ 社群的電源論壇互動討論：http://www.ti.com/powerforum-pr。
- 透過 Plurk 與 TI 即時互動：http://www.plurk.com/TITW
- 透過 Twitter與 TI 即時互動：http://twitter.com/TXInstrumentsTW
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