科技應用 三星 intel ibm 台積電 1nm IBM 與三星發表 VTFET 設計實現 1nm 以下製程技術 Intel 則開始布局埃米等級製程技術 台積電則已經在今年5月宣布與台灣大學、麻省理工學院共同研究，透過鉍金屬特性突破1nm製程生產極限，讓製程技術下探至1nm以下。 在加州舊金山舉辦的IEDM 2021國際電子元件會議中，IBM與三星共同發表名為垂直傳輸場效電晶體 (VTFET)的晶片設計技術，強調將電晶體以垂直方式堆疊，並且讓電流也改以垂直方式流通，藉此讓電晶體數量密度再次提高之外，更大幅強化電力使用效率，並且突破現行在1nm製程設計面臨瓶頸。 相較傳統將電晶體以水平方式堆疊形式設計，垂直傳輸場效電晶體將能增加電晶體數量堆疊密度，並且讓運算速度提昇兩倍，同時透過讓電流以垂直方式流通，同時也讓電力損耗降低85%。 依照說明，若是應 Mash Yang 1 年前
產業消息 處理器 效能 製程 台積電 晶片 台積電認為半導體製程可縮至0.1nm 但晶片效能成長指標應結合整合應用功能 台積電研發負責人黃漢森透露現行以碳奈米管技術可將半導體製程工藝下探至1.2nm，未來製程工藝更可為縮至0.1nm，等同氫原子級別大小，但不能再只是以製程技術定義其效能表現，而是要看更全面的應用整合效果，並且應該以全新權衡標準看待處理器產品。 今年8月在Hotchips 2019便提出摩爾定律依然有效，但將不再以製程技術描述晶片效能成長的看法，台積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森稍早於台灣SEMICON 2019活動中，再次強調摩爾定律將會持續存在，但強調製程下探並非唯一定義晶片效能成長指標。 同時，黃漢森也透露現行以碳奈米管技術可將半導體製程工藝下探至1.2nm，未來製程工藝更可為縮至0. Mash Yang 3 年前
Samsung將於2018年帶來採用7nm、11nm製程的處理器? 日前，Samsung宣佈將會為中高階手機生產採用11nm製程的處理器，據悉效能上在同樣功耗下，比起現時採用14nm製程的Snapdragon 660高15%，而晶片面積更小10%，意味著生產成本更低，預期首款採用11nm製程的處理器將於2018的上半年度登場。另外，廠商亦提及採用7nm製程處理器的生產亦會同時進行，最快將於2018的下半年度登場。 來源 HKD$10 贊助 Android-HK HisTrend.HK 限時褔利品：USB Type-C 轉接頭 HK$30 四枚 詳情請點擊：http://www.histrend.hk/products/usb-type-c-adapter Ar Android-HK 5 年前
