新品資訊 iQOO Neo iQOO Neo 6 SE iQOO Neo 6 SE 揭曉 處理器仍搭載高通 S870 但升級改用 LPDDR5 記憶體、UFS 3.1 儲存元件 iQOO Neo 6 SE相機分別採用1600萬畫素視訊鏡頭,搭配以6400萬畫素、三星ISOCELL GW1P感光元件設計的廣角鏡頭,搭配800萬畫素超廣角鏡頭與200萬畫素黑白鏡頭組成的主相機模組,在廣角鏡頭端也加入防手震設計。 4月中對外公布搭載Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1處理器的新款iQOO Neo 6之後,vivo此次再次宣布推出簡化版iQOO Neo 6 SE,在相似的外觀設計之下,機身背蓋材質從AG玻璃改為塑膠,而處理器則採用Snapdragon 870,與先前推出的iQOO Neo 5 SE相同。 雖然採用與iQOO Neo 5相同處理器,但iQOO Mash Yang 10 個月前
產業消息 wd western digital 5G 8k UFS 3.1 Western Digital 推出第二代 UFS 3.1 儲存解決方案 iNAND MC EU551 ,主打新世代 5G 手機之高解析度相機、 AR / VR 、遊戲等高速儲存需求 Western Digital 宣布基於 UFS3.1 、針對行動裝置的新一代儲存解決方案 Western Digital iNAND MC EU551 ,強調可提供新一代 5G 手機之高解析度相機、 AR / VR 、遊戲與 8K 錄影所需的高速儲存,相較上一代提升 100% 隨機讀取與 40% 隨機寫入性能。 Western Digital iNAND MC EU551 預計於 7 月開始量產,將提供 128GB 、 256GB 與 512GB 三種容量 Western Digital iNAND MC EU551 是 Western Digital 第二代 UFS 3.1 儲存解決方案, Chevelle.fu 1 年前
產業消息 三星 ram LPDDR5 UFS 3.1 UFS 3.1 NAND LPDDR5 uMCP 三星推出 LPDDR5 uMCP ,將高性能的 LPDDR5 RAM 與 UFS 3.1 NAND 封裝在單晶片 現在的手機為了使電路板尺寸盡可能縮小,通常會採用將 RAM 與 NAND 封裝在一起的 uMCP 晶片,三星則宣布為了高階市場需求,推出基於 LPDDR5 RAM 與 UFS 3.1 NAND 的 LPDDR5 uMCP ,單晶片最大達 12GB RAM + 512GB 容量,並提供客戶客製化方案。三星的 LPDDR5 uMCP 已經與多家手機廠商完成相容性測試,最快 6 月可看到搭載此晶片的設備推出。 ▲ LPDDR5 uMCP 較前一代產品提升 50% RAM 傳輸性能與一倍的 NAND 性能 三星的 LPDDR5 uMCP 使用當前最新的 LPDDR5 RAM 與 UFS 3.1 NAN Chevelle.fu 1 年前
產業消息 nand western digital 嵌入式 儲存 智慧手機 車聯網 UFS 3.1 Western Digital 宣布新一代 UFS 3.1 平台,強調自研軟硬體的高度垂直整合 Western Digital 宣布新一代的 UFS 3.1 儲存平台方案,強調以集團自 NAND 、韌體、控制器、軟體到驅動程式的垂直整合,提供汽車、物聯網、 XR 、無人機與新興市場對高速嵌入式儲存的需求; Western Digital 預計 2021 年下半年開始與合作夥伴推出基於此 UFS 3.1 平台的終端設備與解決方案。 Western Digital 的 UFS 3.1 解決方案符合 JEDEC 規範,相較上一代產品在連續寫入的效能提升達 90% ,能夠因應如 5G 、 Wi-Fi 6 等新一代連線規範所提供的高速下載速度所需的寫入速度,同時如應用在 8K 內容的存取、相機影像 Chevelle.fu 1 年前
產業消息 UFS 記憶體 KIOXIA 快閃儲存 KIOXIA 發表 UFS 3.1 嵌入式儲存,單顆最大容量達 1TB 由於高品質的多媒體內容與遊戲使手機需要更大的儲存空間,現在主流 Android 的內建儲存已經漸漸提供至少 64GB 的儲存空間,而前身為東芝記憶體的 KIOXIA 鎧俠旗下的北美子公司宣布新一代的 UFS 3.1 嵌入式快閃記憶體顆粒,使用 KIOXIA 的 BiCS Flash 3D 顆粒技術,提供 128GB 、 256GB 、 512GB 到最大 1TB 容量。 KIOXIA 的 UFS 3.1 晶片採用標準 JEDEC 封裝,整合 BiCS 快閃顆粒與控制器,其控制器具備錯誤校正、耗損平衡、邏輯到物理定址轉換、壞區管理等功能,此外具備 WriteBooster 寫入加速技術,較 UF Chevelle.fu 3 年前
新品資訊 inand Western Digital SanDisk UFS Western Digital 發表符合 UFS 3.0 規範的嵌入式記憶體 iNAND MC EU511 Western Digital 宣布新一代嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU511 ,此系列嵌入式記憶體提供 64GB 到 512GB 的容量,以 Western Digital 的 96 層 3D NAND 記憶體搭配 iNAND SamartSLC Generation 6 ,可提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入性能,整體較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入,同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。 iNAND MC EU511 已經開始供應樣品給 OEM 客戶,強調是針對 5G 世代設備所規劃的新一代儲存產品,鎖定包括 5G 與旗艦手機、高度資 Chevelle.fu 4 年前
產業消息 western digital inand Western Digital SanDisk 鎖定高階智慧手機儲存需求, WD 推出 96 層 3D NAND UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 雖然現在中價位智慧手機與旗艦智慧手機的儲存容量看似差異不大,不過魔鬼藏在細節裡,多半廠商不會刻意將記憶體的傳輸規格列出,使得一些手機即便有高階處理器,但在存取 app 的速度仍有較慢的感覺;WD 也宣布推出採用其 96 層 3D NAND 技術的 UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 ,鎖定高階手機市場需求。 iNAND MC EU321 採用 Western Digital 的 iNAND SmartSLC 5.1 ,並具備 UFS 2.1 介面,具備最高 550MBps 的連續寫入性能,最大容量為 256GB ,可為現在高階手機具備的人工智慧、 AR 、多鏡頭高解 Chevelle.fu 4 年前
14nm八核Samsung Exynos 7880正式發布!功耗大降36%、支持UFS2.0! Samsung 最新旗艦 Galaxy S8、S8 Plus 在 Exynos 8895 處理器的護航下,成功引起了一眾嘩然。雖然未正式開賣,但已贏得足夠的關注度。 成功攬過了高端機的市場,Samsung 怎麼可能會漏掉競爭慘烈的中端手機市場。而Samsung最新低調的發布了Exynos 7880處理器! 據官網提供的資料顯示,Exynos 7880採用八核A53架構和14nm工藝、主頻1.9GHz、內建Mail-T830 MP3圖形核心。 Exynos 7880 可以適配eMMC 5.1、UFS 2.0兩種存儲晶元和DDR4內存、支持2170萬像素攝像頭、兼容GPS、Glonass和北斗定位 ZingGadget 5 年前