新品資訊 iQOO Neo iQOO Neo 6 SE iQOO Neo 6 SE 揭曉 處理器仍搭載高通 S870 但升級改用 LPDDR5 記憶體、UFS 3.1 儲存元件 iQOO Neo 6 SE相機分別採用1600萬畫素視訊鏡頭，搭配以6400萬畫素、三星ISOCELL GW1P感光元件設計的廣角鏡頭，搭配800萬畫素超廣角鏡頭與200萬畫素黑白鏡頭組成的主相機模組，在廣角鏡頭端也加入防手震設計。 4月中對外公布搭載Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1處理器的新款iQOO Neo 6之後，vivo此次再次宣布推出簡化版iQOO Neo 6 SE，在相似的外觀設計之下，機身背蓋材質從AG玻璃改為塑膠，而處理器則採用Snapdragon 870，與先前推出的iQOO Neo 5 SE相同。 雖然採用與iQOO Neo 5相同處理器，但iQOO Mash Yang 10 個月前
產業消息 wd western digital 5G 8k UFS 3.1 Western Digital 推出第二代 UFS 3.1 儲存解決方案 iNAND MC EU551 ，主打新世代 5G 手機之高解析度相機、 AR / VR 、遊戲等高速儲存需求 Western Digital 宣布基於 UFS3.1 、針對行動裝置的新一代儲存解決方案 Western Digital iNAND MC EU551 ，強調可提供新一代 5G 手機之高解析度相機、 AR / VR 、遊戲與 8K 錄影所需的高速儲存，相較上一代提升 100% 隨機讀取與 40% 隨機寫入性能。 Western Digital iNAND MC EU551 預計於 7 月開始量產，將提供 128GB 、 256GB 與 512GB 三種容量 Western Digital iNAND MC EU551 是 Western Digital 第二代 UFS 3.1 儲存解決方案， Chevelle.fu 1 年前
產業消息 三星 ram LPDDR5 UFS 3.1 UFS 3.1 NAND LPDDR5 uMCP 三星推出 LPDDR5 uMCP ，將高性能的 LPDDR5 RAM 與 UFS 3.1 NAND 封裝在單晶片 現在的手機為了使電路板尺寸盡可能縮小，通常會採用將 RAM 與 NAND 封裝在一起的 uMCP 晶片，三星則宣布為了高階市場需求，推出基於 LPDDR5 RAM 與 UFS 3.1 NAND 的 LPDDR5 uMCP ，單晶片最大達 12GB RAM + 512GB 容量，並提供客戶客製化方案。三星的 LPDDR5 uMCP 已經與多家手機廠商完成相容性測試，最快 6 月可看到搭載此晶片的設備推出。 ▲ LPDDR5 uMCP 較前一代產品提升 50% RAM 傳輸性能與一倍的 NAND 性能 三星的 LPDDR5 uMCP 使用當前最新的 LPDDR5 RAM 與 UFS 3.1 NAN Chevelle.fu 1 年前
產業消息 nand western digital 嵌入式 儲存 智慧手機 車聯網 UFS 3.1 Western Digital 宣布新一代 UFS 3.1 平台，強調自研軟硬體的高度垂直整合 Western Digital 宣布新一代的 UFS 3.1 儲存平台方案，強調以集團自 NAND 、韌體、控制器、軟體到驅動程式的垂直整合，提供汽車、物聯網、 XR 、無人機與新興市場對高速嵌入式儲存的需求； Western Digital 預計 2021 年下半年開始與合作夥伴推出基於此 UFS 3.1 平台的終端設備與解決方案。 Western Digital 的 UFS 3.1 解決方案符合 JEDEC 規範，相較上一代產品在連續寫入的效能提升達 90% ，能夠因應如 5G 、 Wi-Fi 6 等新一代連線規範所提供的高速下載速度所需的寫入速度，同時如應用在 8K 內容的存取、相機影像 Chevelle.fu 1 年前
產業消息 UFS 記憶體 KIOXIA 快閃儲存 KIOXIA 發表 UFS 3.1 嵌入式儲存，單顆最大容量達 1TB 由於高品質的多媒體內容與遊戲使手機需要更大的儲存空間，現在主流 Android 的內建儲存已經漸漸提供至少 64GB 的儲存空間，而前身為東芝記憶體的 KIOXIA 鎧俠旗下的北美子公司宣布新一代的 UFS 3.1 嵌入式快閃記憶體顆粒，使用 KIOXIA 的 BiCS Flash 3D 顆粒技術，提供 128GB 、 256GB 、 512GB 到最大 1TB 容量。 KIOXIA 的 UFS 3.1 晶片採用標準 JEDEC 封裝，整合 BiCS 快閃顆粒與控制器，其控制器具備錯誤校正、耗損平衡、邏輯到物理定址轉換、壞區管理等功能，此外具備 WriteBooster 寫入加速技術，較 UF Chevelle.fu 3 年前
新品資訊 inand Western Digital SanDisk UFS Western Digital 發表符合 UFS 3.0 規範的嵌入式記憶體 iNAND MC EU511 Western Digital 宣布新一代嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU511 ，此系列嵌入式記憶體提供 64GB 到 512GB 的容量，以 Western Digital 的 96 層 3D NAND 記憶體搭配 iNAND SamartSLC Generation 6 ，可提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入性能，整體較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。 iNAND MC EU511 已經開始供應樣品給 OEM 客戶，強調是針對 5G 世代設備所規劃的新一代儲存產品，鎖定包括 5G 與旗艦手機、高度資 Chevelle.fu 4 年前
產業消息 western digital inand Western Digital SanDisk 鎖定高階智慧手機儲存需求， WD 推出 96 層 3D NAND UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 雖然現在中價位智慧手機與旗艦智慧手機的儲存容量看似差異不大，不過魔鬼藏在細節裡，多半廠商不會刻意將記憶體的傳輸規格列出，使得一些手機即便有高階處理器，但在存取 app 的速度仍有較慢的感覺；WD 也宣布推出採用其 96 層 3D NAND 技術的 UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 ，鎖定高階手機市場需求。 iNAND MC EU321 採用 Western Digital 的 iNAND SmartSLC 5.1 ，並具備 UFS 2.1 介面，具備最高 550MBps 的連續寫入性能，最大容量為 256GB ，可為現在高階手機具備的人工智慧、 AR 、多鏡頭高解 Chevelle.fu 4 年前
14nm八核Samsung Exynos 7880正式發布！功耗大降36%、支持UFS2.0！ Samsung 最新旗艦 Galaxy S8、S8 Plus 在 Exynos 8895 處理器的護航下，成功引起了一眾嘩然。雖然未正式開賣，但已贏得足夠的關注度。 成功攬過了高端機的市場，Samsung 怎麼可能會漏掉競爭慘烈的中端手機市場。而Samsung最新低調的發布了Exynos 7880處理器！ 據官網提供的資料顯示，Exynos 7880採用八核A53架構和14nm工藝、主頻1.9GHz、內建Mail-T830 MP3圖形核心。 Exynos 7880 可以適配eMMC 5.1、UFS 2.0兩種存儲晶元和DDR4內存、支持2170萬像素攝像頭、兼容GPS、Glonass和北斗定位 ZingGadget 5 年前
