聯發科否認Helio X20過熱 強調多核調度特性

2016.02.04 03:47PM
1
是聯發科否認Helio X20過熱 強調多核調度特性這篇文章的首圖
首圖

針對近期中國地區有報導指出Helio X20陷入過熱問題,可能面臨此款處理器無法順利上市危機,不過聯發科方面對此類消息予以否認,強調目前此款處理器已經進入量產階段,同時與合作夥伴之間導入應用合作也均維持正常,針對相關報導指稱Helio X20有過熱問題,聯發科則說明藉由本身低功耗技術與多叢集檔位切換設計,將此處理器能以最佳模式運作,而不致於產生過熱現象。

dsc09580_resize

去年Qualcomm因自主架構設計無法趕上既定時程,因此在Snapdragon 810採用ARM big.LITTLE架構設計,雖然搭配台積電20nm製程技術,但依然無法擺脫「過熱」所造成形象與銷售影響,因此在去年底正式推出的Snapdragon 820重新改回自主架構設計,希望藉此擺脫高階處理器過熱問題。

而相同情況似乎也出現在聯發科預計今年推出的Helio X20,先前有不少消息指出聯發科因此款處理器出現過熱情況,導致無法順利供貨之餘,似乎也影響既定市售產品應用合作關係。不過,聯發科稍早出面對此類消息做澄清,表示目前Helio X20採用低功耗技術與多叢集檔位切換設計,將使此款處理器能以最佳模式運作,並不致於產生過熱現象。

同時,聯發科更強調目前Helio X20已經進入量產階段,同時與合作夥伴之間導入應用合作也均維持正常。根據聯發科說法指出,一旦處理器偵測到運作溫度提昇至一定程度時,將會自動調整Cortex-A72核心運作時脈,或是將其運作核心關閉,直接轉換成以8核Cortex-A53架構模式運作,另外也強調Cortex-A72實際效能也有不錯表現。

但在採用ARM big.LITTLE架構設計,僅在組合模式等細節做調整之下,配合台積電20nm製程設計是否能直接與採用三星14nm FinFET製程技術的Qualcomm Snapdragon 820,以及首度導入自主架構設計的三星Exynos 8890抗衡,目前依然無法透過實際應用產品做具體比較。

從先前聯發科公布消息來看,Helio X20採用特殊三叢集檔位設計,藉由雙核Cortex-A72 (2.5GHz)、兩組4核Cortex-A53 (各為2.0GHz、1.4GHz)構成「2+4+4」的特殊10核心處理器,預期將與HTC小米與聯想等廠商合作應用。

而就根據聯發科說明,目前依然看好多核心架構設計市場策略,認為在此設計下將能帶來瞬間爆發效能、多工運作彈性,以及相對節電與溫度控制等好處,因此本身仍會維持相同發展方向。而針對競爭對手先後進入處理器核心自主架構,聯發科仍維持與ARM合作,並且藉由不同優化技術、設計達成最佳效能表現,藉此與競爭對手做出差異化,同時認為自主架構並非處理器效能最終關鍵,甚至存在投資效益的不確定性。

在先前消息中,聯發科接下來將會在Helio X20之後持續推出特殊四段檔位設計的Helio X30,處理器設計則分別以ARM Cortex-A72 2.5GHz四核心架構,搭配ARM Cortex-A72 2.0GHz雙核心架構,另外再加上ARM Cortex-A53 1.5GHz雙核心架構與ARM Cortex-A53 1.0GHz雙核心架構,形成「4+2+2+2」的10核心架構設計。

0 則回應