三星傳測試10nm製程Exynos 8895、明年第一季推出

2016.08.10 12:43PM
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相關消息指出,三星目前已經著手測試新款自有處理器Exynos 8895,預期將採用10nm FinFET製程技術,同時運作時脈將可上達4GHz。在競爭對手方面,目前Qualcomm預計在明年推出新款Snapdragon 830處理器,而聯發科日前也透露Helio X30將在明年第一季內問世,至於蘋果也將由台積電以10nm FinFET技術生產A10X處理器。

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在今年各廠商先後以14nm FinFET或16nm FinFET製程技術打造處理器產品後,預期包含三星、Qualcomm、聯發科與Intel都將在2017年進駐10nm FinFET製程技術。

相關消息表示,三星在今年以14nm FinFET技術推出自有處理器Exynos 8890之後,預期將在2017年內推出採用10nm FinFET製程技術的Exynos 8895,目前已經開始進入測試階段,最快將可用在明年準備推出的旗艦機種Galaxy S8。

而在細節部分,預期Exynos 8895運作時脈將可達4GHz,同時因為製程技術精進而將使平均耗電量進一步降低。至於處理器大核核心部分,仍預期採用三星自主架構「Mongoose (狐獴)」。

至於在其他競爭對手方面,Qualcomm與聯發科日前已經透露將在2017年推行10nm FinFET製程處理器,估計新款Snapdragon 830、Helio X30都會在2017年第一季內推出,但目前暫時未有具體細節。

Intel方面原本計畫在2016年間推出10nm製程技術生產的「Cannon lake」處理器,但因為技術等因素而將推出時程延後至2017年下半年,現行「Kabylake」處理器則維持與「Skylake」處理器相同的14nm FinFET製程技術。

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