鎖定高階智慧手機儲存需求, WD 推出 96 層 3D NAND UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321

2018.10.11 12:49PM
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鎖定高階智慧手機儲存需求, WD 推出 96 層 3D NAND UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321

雖然現在中價位智慧手機與旗艦智慧手機的儲存容量看似差異不大,不過魔鬼藏在細節裡,多半廠商不會刻意將記憶體的傳輸規格列出,使得一些手機即便有高階處理器,但在存取 app 的速度仍有較慢的感覺;WD 也宣布推出採用其 96 層 3D NAND 技術的 UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 ,鎖定高階手機市場需求。

iNAND MC EU321 採用 Western Digital 的 iNAND SmartSLC 5.1 ,並具備 UFS 2.1 介面,具備最高 550MBps 的連續寫入性能,最大容量為 256GB ,可為現在高階手機具備的人工智慧、 AR 、多鏡頭高解析拍攝、 4K 錄影等需求提供更高的存取性能。

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