新品資訊 western digital inand OptiNAND Triple Stage Actuator WD 透過 SanDisk 的 iNAND 技術重新打造傳統硬碟架構 容量可大幅提升 OptiNAND技術將iNAND嵌入式記憶體與傳統硬碟設計結合，其中更採用三軸式驅動臂 (Triple Stage Actuator)與HelioSeal氦氣密封填充技術，讓硬碟碟片儲存容量可達2.2TB，使得採用ePMR能量輔助型垂直紀錄技術設計的硬碟容量可以大幅提昇。 滿足更具效能、儲存可靠度，並且滿足大量資料存放使用需求 在HDD Reimagine大會上，Western Digital宣布以OptiNAND技術重新打造傳統硬碟架構，藉此對應更具效能、儲存可靠度，並且滿足大量資料存放使用需求。 OptiNAND技術將iNAND嵌入式記憶體與傳統硬碟設計結合，其中更採用三軸式驅動臂 (Tr Mash Yang 3 年前
產業消息 western digital inand 資料中心 硬碟 Western Digital 推出結合 iNAND 與傳統硬碟的 OptiNAND 儲存架構，兼具容量、效能與可靠性 雖然目前固態硬碟也已經成為企業儲存系統的趨勢，不過仍有些應用需要顧及成本、容量與資料特性仍需使用傳統硬碟； Western Digital 宣布推出結合旗下 iNAND 與傳統硬碟技術的全新架構 OptiNAND 技術，將嵌入式記憶體與硬碟合一，改善使傳統硬碟特性得以強化，並滿足包括大規模雲端、雲端服務、企業、智慧影像與監控、 NAS 等需求，兼具資料儲存量、效能與可靠性。當前 Western Digital 已經向部分客戶提供基於 OptiNAND 技術的 9 碟式 20TB ePMR 樣品，今年內正式出貨，預計未來 10 年內達到 50TB 。 ▲透過結合 iNAND 作為快取，改善傳統硬 Chevelle.fu 3 年前
新品資訊 inand Western Digital SanDisk UFS Western Digital 發表符合 UFS 3.0 規範的嵌入式記憶體 iNAND MC EU511 Western Digital 宣布新一代嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU511 ，此系列嵌入式記憶體提供 64GB 到 512GB 的容量，以 Western Digital 的 96 層 3D NAND 記憶體搭配 iNAND SamartSLC Generation 6 ，可提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入性能，整體較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。 iNAND MC EU511 已經開始供應樣品給 OEM 客戶，強調是針對 5G 世代設備所規劃的新一代儲存產品，鎖定包括 5G 與旗艦手機、高度資 Chevelle.fu 6 年前
產業消息 western digital inand Western Digital SanDisk 鎖定高階智慧手機儲存需求， WD 推出 96 層 3D NAND UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 雖然現在中價位智慧手機與旗艦智慧手機的儲存容量看似差異不大，不過魔鬼藏在細節裡，多半廠商不會刻意將記憶體的傳輸規格列出，使得一些手機即便有高階處理器，但在存取 app 的速度仍有較慢的感覺；WD 也宣布推出採用其 96 層 3D NAND 技術的 UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU321 ，鎖定高階手機市場需求。 iNAND MC EU321 採用 Western Digital 的 iNAND SmartSLC 5.1 ，並具備 UFS 2.1 介面，具備最高 550MBps 的連續寫入性能，最大容量為 256GB ，可為現在高階手機具備的人工智慧、 AR 、多鏡頭高解 Chevelle.fu 6 年前
廠商專區 手機 arena Sandisk inand SanDisk 8GB iNAND 將內建於LG Arena多媒體手機 SanDisk 8GB iNAND 將內建於LG Arena多媒體手機 LG的旗艦手機採用SanDisk iNAND儲存與啟動二合一裝置 容量最高可達8GB 2009年2月20日，台北—全球快閃記憶體領導廠商SanDisk®公司 (NASDAQ:SNDK) 宣佈，LG最新推出的 LG Arena （LG-KM900） 全功能多媒體手機將內建SanDisk的 iNAND™ 8 gigabyte (GB) 快閃記憶體 （Embedded Flash Drive，EFD) 。iNAND 儲存裝置可為一種用於手機的啟動及儲存裝置，從此不需安裝獨立啟動裝置。 於2009全 news.tw 16 年前
