科技應用 三星 UFS UFS 4.0 三星 UFS 4.0 儲存元件發表 存取效率更高、更省電、容量更大 將帶動手機、自駕車、虛擬視覺頭戴裝置等邊緣運算 在三星的UFS 4.0儲存元件設計中，採用旗下第7代V-NAND垂直記憶體，搭配專利設計的控制器，藉此對應每秒可達4200MB連續讀取速度表現，同時在連續寫入則可達每秒2800MB，相比UFS 3.1規格的使用功耗則會降低46%，意味將可讓智慧型手機待機時間大幅增加。 三星半導體 (Samsung Semiconductor)宣布推出旗下UFS 4.0儲存元件，標榜提供業界最高存取效能，在每組通道可達23.2 Gbps傳輸速度，將是目前主流規格UFS 3.1的2倍以上。 除了將近一步提升智慧型手機資料存取效率，並且增加終端裝置上的運算效能，三星更標榜能透過UFS 4.0儲存元件帶動自駕車、擴增 Mash Yang 9 個月前
產業消息 SSD western digital 固態硬碟 3d nand UFS KIOXIA BiCS FLASH KIOXIA 記憶體工廠 BiCS FLASH 產線發生異物汙染導致生產暫時中斷， Western Digital 也同受影響 原東芝記憶體部門獨立分離而來的 KIOXIA 宣布位於四日市的記憶體工廠發生原物料汙染，導致一月下旬起生產受到影響，除了 KIOXIA ，也牽連長期合作夥伴 Western Digital ， Western Digital 粗估此次工廠停擺將影響 6.5EB 的記憶體供應量。 ▲此次受影響的是 BiCS FLASH 產線 此次發生問題的是 KIOXIA 的 3D NAND " BiCS FLASH "的產線，在生產過程中發現原物料參入雜質，雖然已經及時發現並進行處置，不過還未排除問題； KIOXIA 表示此次受影響為 3D NAND 產線， 2D FLASH 仍維持正常產 Chevelle.fu 11 個月前
新品資訊 inand Western Digital SanDisk UFS Western Digital 發表符合 UFS 3.0 規範的嵌入式記憶體 iNAND MC EU511 Western Digital 宣布新一代嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU511 ，此系列嵌入式記憶體提供 64GB 到 512GB 的容量，以 Western Digital 的 96 層 3D NAND 記憶體搭配 iNAND SamartSLC Generation 6 ，可提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入性能，整體較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。 iNAND MC EU511 已經開始供應樣品給 OEM 客戶，強調是針對 5G 世代設備所規劃的新一代儲存產品，鎖定包括 5G 與旗艦手機、高度資 Chevelle.fu 3 年前
