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科技應用 三星 UFS UFS 4.0
三星 UFS 4.0 儲存元件發表 存取效率更高、更省電、容量更大 將帶動手機、自駕車、虛擬視覺頭戴裝置等邊緣運算
在三星的UFS 4.0儲存元件設計中，採用旗下第7代V-NAND垂直記憶體，搭配專利設計的控制器，藉此對應每秒可達4200MB連續讀取速度表現，同時在連續寫入則可達每秒2800MB，相比UFS 3.1規格的使用功耗則會降低46%，意味將可讓智慧型手機待機時間大幅增加。 三星半導體 (Samsung Semiconductor)宣布推出旗下UFS 4.0儲存元件，標榜提供業界最高存取效能，在每組通道可達23.2 Gbps傳輸速度，將是目前主流規格UFS 3.1的2倍以上。 除了將近一步提升智慧型手機資料存取效率，並且增加終端裝置上的運算效能，三星更標榜能透過UFS 4.0儲存元件帶動自駕車、擴增
Mash Yang
3 年前
產業消息 SSD western digital 固態硬碟 3d nand UFS KIOXIA BiCS FLASH
KIOXIA 記憶體工廠 BiCS FLASH 產線發生異物汙染導致生產暫時中斷， Western Digital 也同受影響
原東芝記憶體部門獨立分離而來的 KIOXIA 宣布位於四日市的記憶體工廠發生原物料汙染，導致一月下旬起生產受到影響，除了 KIOXIA ，也牽連長期合作夥伴 Western Digital ， Western Digital 粗估此次工廠停擺將影響 6.5EB 的記憶體供應量。 ▲此次受影響的是 BiCS FLASH 產線 此次發生問題的是 KIOXIA 的 3D NAND " BiCS FLASH "的產線，在生產過程中發現原物料參入雜質，雖然已經及時發現並進行處置，不過還未排除問題； KIOXIA 表示此次受影響為 3D NAND 產線， 2D FLASH 仍維持正常產量。 然而當前固態儲
Chevelle.fu
3 年前
新品資訊 inand Western Digital SanDisk UFS
Western Digital 發表符合 UFS 3.0 規範的嵌入式記憶體 iNAND MC EU511
Western Digital 宣布新一代嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU511 ，此系列嵌入式記憶體提供 64GB 到 512GB 的容量，以 Western Digital 的 96 層 3D NAND 記憶體搭配 iNAND SamartSLC Generation 6 ，可提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入性能，整體較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。 iNAND MC EU511 已經開始供應樣品給 OEM 客戶，強調是針對 5G 世代設備所規劃的新一代儲存產品，鎖定包括 5G 與旗艦手機、高度資
Chevelle.fu
6 年前

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