科技應用 3d nand Lam Cryo 3.0 科林研發推出 Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 加速 3D NAND 記憶體微縮發展 科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術 Lam Cryo 3.0，實現更高精度與輪廓控制，蝕刻速度更快，生產良率提升，並降低耗能與碳排放。 科林研發 (Lam Research)宣布推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術，藉此加速3D NAND記憶體在人工智慧時代的微縮應用發展，預計在10年內可協助記憶體業者實現1000層的3D NAND記憶體問世。 Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術，是科林研發旗下經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術，以及創新表面化學製程方式，藉此實現精度更高、輪廓可控性更高的蝕刻操作。 科林研發全球產品事業群資深副總裁Sesha Mash Yang 8 個月前
產業消息 SSD nvme 3d nand KIOXIA 鎧俠 Kioxia預計2027年可推出實現千層堆疊的3D NAND，20TB NVMe SSD將降至250美金 雖然現在SSD的價格已經相當平易近人，但相較機械式硬碟的容量仍有一段距離，不過源自東芝的Kioxia鎧俠指出2027年有望投產達1,000層的3D NAND，屆時20TB NVMe SSD的終端售價有望與現行20TB機械式硬碟相當，落在250美金至350美金之間。 ▲Kioxia預估需使用QLC甚至PLC技術才能實現千層堆疊的NAND 目前高階的3D NAND約略在近200層左右，並預計將邁入超過300層的堆疊技術，然而為了達到1,000層堆疊，包括通道電阻、傳輸雜訊等都會是更嚴苛的挑戰，是故Kioxia認為仍需要約3年的時間才有可能實現千層堆疊級的3D NAND；Kioxia預計屆時無法透過 Chevelle.fu 10 個月前
產業消息 SSD western digital 固態硬碟 3d nand UFS KIOXIA BiCS FLASH KIOXIA 記憶體工廠 BiCS FLASH 產線發生異物汙染導致生產暫時中斷， Western Digital 也同受影響 原東芝記憶體部門獨立分離而來的 KIOXIA 宣布位於四日市的記憶體工廠發生原物料汙染，導致一月下旬起生產受到影響，除了 KIOXIA ，也牽連長期合作夥伴 Western Digital ， Western Digital 粗估此次工廠停擺將影響 6.5EB 的記憶體供應量。 ▲此次受影響的是 BiCS FLASH 產線 此次發生問題的是 KIOXIA 的 3D NAND " BiCS FLASH "的產線，在生產過程中發現原物料參入雜質，雖然已經及時發現並進行處置，不過還未排除問題； KIOXIA 表示此次受影響為 3D NAND 產線， 2D FLASH 仍維持正常產 Chevelle.fu 3 年前
產業消息 micron SSD 美光 3d nand 美光 176 層 3D NAND 正式出貨，容量更大、傳輸速達 1,600MTps 美光宣布旗下 176 層 3D NAND 正式出貨，不僅只是堆疊層數突破新高，架構改善之下使得晶粒尺寸更緊湊，相較競爭對手當前產品高出 40% 層數，但仍藉美光專利 CuA 架構降低層本，將廣泛為手機、車用、消費電子產品與資料中心之固態儲存進一步提升容量，較上一代產品更改善 35% 的讀取與寫入延遲。 美光 176 層 3D NAND 已經開始量產，預計透過 Crucial 消費型 SSD 產品方式進行供貨，預計 2021 年推出採用相同技術的更多新產品。 美光 176 層 3D NAND 結合美光第五代 3D NAND 與第二代替換閘架構，並採用堆疊式替換閘架構、將傳統浮閘式轉換到全新電荷捕 Chevelle.fu 4 年前
產業消息 三星 智慧手機 3d nand 手機將邁入 TB 級容量世代，三星宣布第五代 V-NAND 技術顆粒嵌入式儲存記憶體可達 1TB 現在不少中階智慧手機內建的儲存空間已經自 128GB 起跳，不過隨著高品質多媒體檔案與使用者的智慧手機使用行為對儲存空間日益增加，也需要相當大的儲存空間，旗艦機種甚至提供 512GB 的選項；然而三星已經準備好將智慧手機的儲存空間推向 1TB 等級。 三星宣布他們已經開始量產基於 eUFS 2.1 規範的 1TB 快閃記憶體顆粒，基於三星第五代 V-NAND 技術，以 16 層堆疊的 512Gb 顆粒搭配專利的整合型控制器構成，在與前一世代 512GB 的 eUSF 顆粒相同的封裝大小提供高出一倍的儲存容量。 且由於採用新技術，三星的 1TB eUSF 2.1 顆粒可提供 1,000MBps Chevelle.fu 6 年前
產業消息 micron 美光 SSD 硬碟 3d nand Micron 聯手 Intel 開發 4bit QLC 顆粒，推出具 7.68TB 的 5210 ION 企業級 2.5 吋 SSD 美光宣布推出一款企業級的 SSD 產品 5210 ION ，最大的特色是採用與 Intel 合作的 4bit QLC 3D NAND Flash ，相較目前 3bit TLC 顆粒有更高的密度，這款產品也因此達到最高 7.68TB 的大容量。 5210 ION 的 QLC 顆粒以 64 層 3D Flash 工藝，強調單一顆粒最高可達 1Tb 容量密度，較 TLC 高出 33% 容量密度，也是目前業界最高密度的顆粒；而採用 4bit QLC 顆粒的 5210 ION 可提供自 1.92TB 到最大 7.68TB 的容量，以 7mm 2.5 吋硬碟 SATA 介面設計作為載體。 新聞來源：美光 Chevelle.fu 6 年前
產業消息 NAND flash emmc Western Digital SanDisk 3d nand 將 3D NAND 技術帶到行動裝置市場， SanDisk 發表 UFS 與 eMMC 雙介面 iNAND 嵌入式快閃記憶體 3D NAND 快閃記憶體技術已經逐漸在許多桌上型電腦的 SSD 中被採用，而 WD 集團旗下的知名快閃記憶體品牌 SanDisk 也宣布將 3D NAND 技術帶到行動裝置領域，推出基於 3D NAND 技術的 iNAND 嵌入式快閃記憶體產品線，包括 UFS 介面的 iNAND 8521 和 e.MMC 介面的 iNAND 7550 ，兩款產品線最大容量提供 256GB 。 iNAND 8521 為新一代旗艦型嵌入式記憶體產品，採用 UFS 2.1介面以及 Western Digital 第五代 SmartSLC 技術，相較前一代旗艦級產品 iNAND7232 在連續寫入性能提升 2 倍， Chevelle.fu 7 年前
新品資訊 SSD 硬碟 3d nand 勢要終結傳統硬碟，三星宣布將於今年下半年提供高達 15.36TB 的 2.5 吋 SSD 圖片來源： PC.Watch三星發下豪語，將在今年下半年推出採用 2.5 吋硬碟大小的企業級 SSD PM1633a，容量高達 15.36TB ，這款大容量 SSD 採用三星的 3D NAND 技術 V-NAND 顆粒，將 256Gbit 模組進行 16 層堆疊，使單顆顆粒高達 512GB ，打造出這顆超大容量企業級 SSD 。這顆企業級 SSD 具備 32,000IOPS ，讀寫皆可達 1,200MB/s ，隨機讀取相較現有的 SAS HDD 的 IOPS 高出 1,000 倍，此款 SSD 採用 12Gbps 的 SAS 介面，提供高達 16GB 的 DRAM 作為暫存。同時三星也強調其 Chevelle.fu 9 年前
