科技應用 ARM NAND flash Neoverse V Arm 因美國禁令將不再向阿里巴巴在內科技業者提供 Neoverse V 系列架構授權 美國政府接下來也預期將把中國儲存業者長江存儲 (Yangtze Memory Technologies)與其他35家業者列入技術出口限制名單。而長江存儲被列入限制名單的原因，是因為其向華為提供NAND Flash產品。 在美國政府頒布技術出口禁令，以及英國政府確定禁止技術授權出口之後，Arm決定不再繼續向阿里巴巴在內中國科技業者提供其新版Neoverse V系列架構設計授權。 在此之前，美國政府已經在今年10月頒布更進一步的技術出口管制，而英國政府也擔心Arm授權設計可能被用於軍事威脅，在金融時報引述消息人士說法表示，Arm將不再繼續向阿里巴巴在內中國科技業者提供其新版Neoverse V系列 Mash Yang 1 個月前
科技應用 一圖看懂 micron nand 儲存裝置 硬碟 NAND flash 美光 快閃記憶體 晶粒 176 176 NAND Flash 一圖看懂 一顆晶片存好存滿 30 小時高畫質影片!美光科技量產 176 層 3D NAND Flash 越小體積越大容量 你能想像能儲存 30 小時的高畫質影片的快閃記憶體，比一根頭髮還細嗎？ 生活中處處都會遇到需要儲存的東西，不論是照片、影片或是工作需要的檔案，你是透過 USB、硬碟還是雲端空間來存放呢？回顧儲存科技的發展堪稱是一日千里，如果你跟癮特務一樣是七年級生，一定有印象在 90 年代超級盛行的 3.5 磁碟片（Floppy Disk）。 當時的3.5磁碟片一片只有1.44 MB 容量，要裝一個遊戲還需要好幾片磁片才夠存載，放到現在，存一張高畫質的照片就已經滿滿滿，真的是時代的眼淚！後來儲存工具一路從磁碟片、CD、DVD、USB、SD 存儲卡、硬碟和固態硬碟再到雲端儲存，能存入的容量越來越多、速度越來越快 癮特務 1 年前
產業消息 intel NAND flash SK 海力士 NAND Flash 價格不斷下滑 Intel 以 90 億美金把業務賣給南韓 SK 海力士 Intel同意以90億美元轉讓旗下NAND記憶體業務，而此次收購內容將包含Intel既有SSD、NAND Flash與相關晶圓業務，同時也將把位於中國大連的工廠轉讓給SK海力士。 未來將更專注於處理器業務 Intel確定將旗下生產NAND Flash的NAND記憶體業務轉售給南韓SK海力士 (SK Hynix)，藉此精簡旗下業務體系。 由於近年來NAND Flash價格持續下滑，使得Intel考慮將旗下NAND記憶體業務轉售他人。 而SK海力士稍早釋出聲明表示，Intel同意以90億美元轉讓旗下NAND記憶體業務，而此次收購內容將包含Intel既有SSD、NAND Flash與相關晶圓業務，同 Mash Yang 2 年前
產業消息 NAND flash emmc Western Digital SanDisk 3d nand 將 3D NAND 技術帶到行動裝置市場， SanDisk 發表 UFS 與 eMMC 雙介面 iNAND 嵌入式快閃記憶體 3D NAND 快閃記憶體技術已經逐漸在許多桌上型電腦的 SSD 中被採用，而 WD 集團旗下的知名快閃記憶體品牌 SanDisk 也宣布將 3D NAND 技術帶到行動裝置領域，推出基於 3D NAND 技術的 iNAND 嵌入式快閃記憶體產品線，包括 UFS 介面的 iNAND 8521 和 e.MMC 介面的 iNAND 7550 ，兩款產品線最大容量提供 256GB 。 iNAND 8521 為新一代旗艦型嵌入式記憶體產品，採用 UFS 2.1介面以及 Western Digital 第五代 SmartSLC 技術，相較前一代旗艦級產品 iNAND7232 在連續寫入性能提升 2 倍， Chevelle.fu 5 年前
產業消息 鴻海 NAND flash 東芝 WD 硬碟 鴻海、 WD 雙雙面臨出局，東芝與 Bain 集團簽售記憶體部門出售備忘錄 全球第二代 NAND 顆粒製造商東芝集團旗下記憶體部門出售一事，早就是整個半導體業界的大事，尤其近期記憶體需求提升，對於大集團來說收購具備東芝的記憶體部門絕對是相當重要的，也吸引包括美國 WD 集團，鴻海、夏普與軟銀聯合集團與包括韓國 SK 海力士、由日韓共組的 BAIN 集團的競標，三個集團也都抱著勢在必得的決心爭相搶奪，不過今天稍早東芝集團發出公告，將與 BAIN 集團簽署記憶體部門出售備忘錄，希望能在九月下旬雙方達成協議；但乍看大勢已定的情況下，東芝還是預留了但書：即便簽署 MOU 後， BAIN 仍可與其它業者協商。 當然目前的狀況也是因為東芝已經面臨不得不加速出售記憶體部門的狀況，目 Chevelle.fu 5 年前
Samsung 三星 科科來文 nand NAND flash mlc flash 爽爽爽 韓國三星半導體宣布:1x奈米 NAND Flash 試作成功！！ 2011年11月11日（神棍節？！）南韓三星半導體在自家舉辦的「２０１１三星技術大展」上宣布：1x奈米級的NAND Flash已經正式試作成功，同時也展示了該次試作的成果雖然比東芝慢了半年而１ｘ奈米 Ｆｌａｓｈ試作成功所代表的意義，就是：「如果能夠成功量產，那麼未來ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ的成本將會進一步下降」屆時記憶卡、隨身碟、ＳＳＤ等固態儲存裝置的價格也將會比現在更便宜目前東芝已經於今年４月宣布１９奈米的ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ開發成功預計明年（２０１２年）Ｑ１試產 年中量產相信明年的Ｆｌａｓｈ市場可能又是波濤洶湧的一年 ACGFAN 11 年前
產業消息 SSD flash NAND flash 快閃記憶體 HLNAND HLNAND2 MCP 薄薄一片，可是 800MB/s 的傳輸速度啊！MOSAID 發表第2代 HyperLink NAND 技術 （圖片來源：Market Wire） 一直以來 NAND Flash 的發展就是朝三個大方向發展： 製程微縮 容量提昇 傳輸變快 其中製程微縮方面 SSDM 2011 大會上已經有人提出解決方案了（這裡），在容量方面， 512Gb 的 NAND Flash 也出來一段時間了（不過貴到爆，約美金120元，幾乎沒有流通），那麼傳輸方面有沒有甚麼搞頭呢？ 在提到這個之前，可能要先從 MCP 封裝跟 NAND Flash 的傳輸規格說起。MCP 封裝（Multi Chip Package，中譯多晶片封裝），這是一種將不同的記憶體整合成單一顆晶片組的封裝方式，原本是大量使用在手機跟智慧型手機上的封裝方式 ACGFAN 11 年前
產業消息 SSD NAND flash 旺宏 日本東大教授提出 8nm NAND Flash 的可能解決方案 上個月在大阪舉辦的 SSDM 2011 大會上（Solid State Devices and Materials），日本東大的竹內建教授提出使用旺宏的 3D NAND Flash 技術 + SOI 技術，可以把 NAND Flash 的製程一口氣再微縮到8nm。以往的 Floating Gate Cell 技術理論值只能到 8nm ，因為會有量子效應的干擾問題，透過旺宏與竹內建教授所提出的這個技術，可以增加單一空間 NAND Flash 的密度，故能達到 8nm 的目標，製程的再精進，可以讓 SSD 的容量更往前躍進，間接幫助 SSD 的普及化。 雖然目前還是紙上談兵，但是畢竟是前進了一大步 ACGFAN 11 年前
