產業消息 emmc Western Digital SanDisk 3d nand 將 3D NAND 技術帶到行動裝置市場， SanDisk 發表 USF 與 eMMC 雙介面 iNAND 嵌入式快閃記憶體 3D NAND 快閃記憶體技術已經逐漸在許多桌上型電腦的 SSD 中被採用，而 WD 集團旗下的知名快閃記憶體品牌 SanDisk 也宣布將 3D NAND 技術帶到行動裝置領域，推出基於 3D NAND 技術的 iNAND 嵌入式快閃記憶體產品線，包括 UFS 介面的 iNAND 8521 和 e.MMC 介面的 iNAND 7550 ，兩款產品線最大容量提供 256GB 。 iNAND 8521 為新一代旗艦型嵌入式記憶體產品，採用 UFS 2.1介面以及 Western Digital 第五代 SmartSLC 技術，相較前一代旗艦級產品 iNAND7232 在連續寫入性能提升 2 倍， Chevelle.fu 1 年前
產業消息 鴻海 東芝 WD 硬碟 鴻海、 WD 雙雙面臨出局，東芝與 Bain 集團簽售記憶體部門出售備忘錄 全球第二代 NAND 顆粒製造商東芝集團旗下記憶體部門出售一事，早就是整個半導體業界的大事，尤其近期記憶體需求提升，對於大集團來說收購具備東芝的記憶體部門絕對是相當重要的，也吸引包括美國 WD 集團，鴻海、夏普與軟銀聯合集團與包括韓國 SK 海力士、由日韓共組的 BAIN 集團的競標，三個集團也都抱著勢在必得的決心爭相搶奪，不過今天稍早東芝集團發出公告，將與 BAIN 集團簽署記憶體部門出售備忘錄，希望能在九月下旬雙方達成協議；但乍看大勢已定的情況下，東芝還是預留了但書：即便簽署 MOU 後， BAIN 仍可與其它業者協商。 當然目前的狀況也是因為東芝已經面臨不得不加速出售記憶體部門的狀況，目 Chevelle.fu 1 年前
Samsung 三星 科科來文 nand mlc flash 爽爽爽 韓國三星半導體宣布:1x奈米 NAND Flash 試作成功！！ 2011年11月11日（神棍節？！）南韓三星半導體在自家舉辦的「２０１１三星技術大展」上宣布：1x奈米級的NAND Flash已經正式試作成功，同時也展示了該次試作的成果雖然比東芝慢了半年而１ｘ奈米 Ｆｌａｓｈ試作成功所代表的意義，就是：「如果能夠成功量產，那麼未來ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ的成本將會進一步下降」屆時記憶卡、隨身碟、ＳＳＤ等固態儲存裝置的價格也將會比現在更便宜目前東芝已經於今年４月宣布１９奈米的ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ開發成功預計明年（２０１２年）Ｑ１試產 年中量產相信明年的Ｆｌａｓｈ市場可能又是波濤洶湧的一年 ACGFAN 7 年前
產業消息 ssd flash 快閃記憶體 HLNAND HLNAND2 MCP 薄薄一片，可是 800MB/s 的傳輸速度啊！MOSAID 發表第2代 HyperLink NAND 技術 （圖片來源：Market Wire） 一直以來 NAND Flash 的發展就是朝三個大方向發展： 製程微縮 容量提昇 傳輸變快 其中製程微縮方面 SSDM 2011 大會上已經有人提出解決方案了（這裡），在容量方面， 512Gb 的 NAND Flash 也出來一段時間了（不過貴到爆，約美金120元，幾乎沒有流通），那麼傳輸方面有沒有甚麼搞頭呢？ 在提到這個之前，可能要先從 MCP 封裝跟 NAND Flash 的傳輸規格說起。MCP 封裝（Multi Chip Package，中譯多晶片封裝），這是一種將不同的記憶體整合成單一顆晶片組的封裝方式，原本是大量使用在手機跟智慧型手機上的封裝方式 ACGFAN 7 年前
產業消息 ssd 旺宏 日本東大教授提出 8nm NAND Flash 的可能解決方案 上個月在大阪舉辦的 SSDM 2011 大會上（Solid State Devices and Materials），日本東大的竹內建教授提出使用旺宏的 3D NAND Flash 技術 + SOI 技術，可以把 NAND Flash 的製程一口氣再微縮到8nm。以往的 Floating Gate Cell 技術理論值只能到 8nm ，因為會有量子效應的干擾問題，透過旺宏與竹內建教授所提出的這個技術，可以增加單一空間 NAND Flash 的密度，故能達到 8nm 的目標，製程的再精進，可以讓 SSD 的容量更往前躍進，間接幫助 SSD 的普及化。 雖然目前還是紙上談兵，但是畢竟是前進了一大步 ACGFAN 7 年前
