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美光1-gamma製程LPDDR5X記憶體樣品已經出貨，預計2026年旗艦智慧手機正式導入
美光Micron宣布，基於1-gamma製程的LPDD5X記憶體認證樣品已經出貨，此LPDDR5X鎖定旗艦級智慧手機AI應用，不僅達業界最快的10.7Gbps傳輸性能，還有效減少20%能耗，能幫助旗艦手機實現如AI翻譯、圖像生成等豐富的AI功能之餘，提供更快、更流暢且續航力更長的體驗。美光已經向特定合作夥伴提供基於1-gamma製程的16GB LPDDR5X樣品，最終產品將提供自8GB至32GB容量，預計2026年旗艦智慧手機會正式搭載此新製程LPDDR5記憶體。 基於1-gamma製程的LPDDR5X記憶體是美光首款使用先進EUV微影技術的行動解決方案，利用CMOS先進技術、如用於提高電晶體
Chevelle.fu
7 天前
韓媒指稱三星Galaxy S25系列初期使用美光LPDDR5X節能型記憶體
根據韓國媒體報導，三星Galaxy S手機似乎內部韓國產業的資源比重正在逐步下降，包括應用處理器、主機板、鏡頭等陸續使用非韓國供應鏈的產品，現在傳出Galaxy S25初期的記憶體也將改採用美光的節能型LPDDR5X，因為三星同級產品初期遇到發熱問題，後續生產的批次才會逐步使用三星半導體的節能型LPDDR5X。 ▲據稱三星12nm製程的LPDDR5X初期遇到發熱問題導致趕不上首波Galaxy S25上市，故首批Galaxy S25將採用美光的同級LPDDR5X 韓國etnews指稱，雖然三星半導體的記憶體仍在全球相當強勢，不過由於三星想要進一步為Galaxy S25降低能耗，故決定採用製程改良
Chevelle.fu
5 個月前
美光2026年量產的HBM4將提供NVIDIA Rubin R100等下一代AI加速器使用，並已投入HBM4E的開發
美光的HBM3E順利打入NVIDIA AI加速器的供應鏈，其中HBM3E成為NVIDIA H200搭配的記憶體；根據美光財報會議紀錄，美光將在2026年量產HBM4，作為屆時如NVIDIA的「Rubin」NVIDIA R100等先進加速器搭配，此外美光也投入HBM4E的開發，倘若時程能夠配合，應該會成為NVIDIA小改版世代的R200所搭配的記憶體。 ▲NVIDIA的Rubin R100加速器預期會採用美光HBM4記憶體 目前AI加速器的GPU由SK Hynix取領先，三星與美光仍設法從中突圍，其中美光鎖定高性能與客製化服務作為與其它競爭者的差異化；美光預期在2026年推出HBM4記憶體，將較
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5 個月前
美光推出高效率、節能的60TB 6550 ION資料中心SSD，首創E3.S封裝達60TB容量
美光宣布其6550 ION NVMe SSD通過客戶驗證，並為當前全球最高速率的60TB SSD，同時為業界第一款E3.S與PCIe Gen 5的60TB SSD；6550 ION SSD具備同級最高運算、節能、耐久、安全與機櫃容量表現，鎖定超大規模資料中心應用，並針對如網路AI資料湖、資料擷取、資料準備與檢查、檔案與物件型存儲、公有雲大容量與內容傳輸等NVMe工作負載最佳化。 美光6550 IOS SSD提供E2.S、 U.2、E1.L等三種規格，並為全球首款E3.S 60TB產品 ▲美光6550 ION SSD的E3.S封裝是全球首個達60TB容量的E3.S資料中心級SSD 美光6550
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7 個月前
美光推出6,400MT/s的Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體，延續低調無發光的摺紙造型鋁散熱器
美光Micron宣布推出Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體，將時脈提升至6,400MT/s，使玩家具備更流暢、快速的遊戲體驗。Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體先行推出16GB容量版本與16GBx2的32GB雙通道套裝，搭配以摺紙為靈感的無發光鋁散熱片，提供黑、白二色散熱片。 ▲提供黑與白兩種散熱片選項 ▲支援XMP與EXPO兩大記憶體超頻規範 Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體採用美光1ß製程16Gb DRAM顆粒，相較DDR4記憶體提供2倍的資料傳輸量與減少25%延遲，提供38-40-40-84設定，並支援Intel XMP與AMD EXPO
Chevelle.fu
7 個月前
照片中提到了crucial、by Micron、P310，包含了Crucial T500 Gen4 NVMe M.2 內部遊戲 SSD 升級、Crucial T500 Gen4 NVMe M.2 內部遊戲 SSD 升級、M.2、1 TB、NVM Express
美光Crucial P310 PCIe Gen 4 SSD推出M.2 2280版本，可達7,100MB/s讀取性能且價格實惠
美光Crucial繼推出針對PC掌機與輕薄筆電的Crucial P310 2230 Gen 4 SSD後，再宣布推出Crucial P310 2280 Gen 4 SSD，主打其峰值讀取性能與高階PCIe Gen 4 SSD無異，比起PCIe Gen 3 SSD高出一倍的性能，同時相對Crucial P3 Plus快40%，但價格依舊親民。 Crucial P310 2280 Gen 4 SSD提供1TB與2TB兩種儲存容量，享有5年保固，目前先行推出無散熱器版本，後續將推出附散熱器版本，其散熱器格式符合Sony PS5擴充儲存規範。 ▲Crucial P310 2280 Gen 4 SSD以
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8 個月前
照片中提到了Micron、9550、Micron，跟美光科技、美光科技有關，包含了固態硬盤、固態硬盤、NVM Express、電腦數據存儲
美光宣布研發出PCIe Gen 6資料中心SSD技術，可達26GB/s連續讀取性能
儲存資料傳輸性能是許多系統的性能障礙，隨著運算產業的加速發展，包括PCIe通道與儲存技術也加緊腳步持續進步，其中也包括儲存資料不經CPU與GPU、加速器直連的技術；於2022年公布規格的PCIe Gen 6雖還未看到實際商用化，不過由於資料中心、AI HPC等高速運算系統需求，許多產業已經著手開發相關技術，其中美光Micron於FMS 2024展會宣布開發出PCIe Gen 6資料中心SSD技術，將可突破現行儲存門檻。 ▲依據PCI-SIG的計畫，2025年PCIe Gen 6才會公布整合商名單 美光的PCIe Gen 6資料中心SSD解決方案建立在甫公布的美光9550資料中心SSD技術基礎，
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10 個月前
照片中提到了ENG SAMPLE、GOPAX97M001 KU、PRODUCT OF CHINA，包含了電子產品、文本、電子產品、微控制器、儀表
COMPUTEX 2024：美光談積極投入LPCAMM2模組關鍵：LPCAMM2已獲JEDEC標準化
在今年COMPUTEX有多家品牌展示被視為接替DIMM介面的CAMM介面記憶體模組，包括使用DDR5記憶體的DDR5 CAMM2，以及使用LPDDR5X的LPCAMM2；其中美光的LPCAMM2已經獲得聯想採用且後續將在零售市場推出，筆者也就兩種CAMM模組的現況詢問美光工作人員，美光會先押LPCAMM2模組的關鍵不僅在於市場有需求，更重要的是獲得JEDEC協會認可已經標準化。 ▲美光表示力挺LPCAMM2的關鍵之一是此模組已經獲得JEDEC標準化 美光指出他們同樣看到DDR5 CAMM2的市場潛力，然而相對在LPCAMM推出前皆為板載焊死的LPDDR5記憶體，由於傳統DIMM模組已經行之有年
Chevelle.fu
1 年前
照片中提到了M、ron®、Micron，跟美光科技、美光科技有關，包含了燕尾服、日本美光內存、美光、動態隨機存取存儲器
COMPUTEX 2024：美光因應AI PC世代自GDDR、LPDDR與SSD提供完整高效能產品布局
Micron美光在COMPUTEX 2024期間除了宣布GDDR7已經送樣，也宣示美光在AI PC有完整的儲存產品布局；美光指出固然透過NPU執行生成式AI是AI PC當前最火熱探討的布局，不過當前在AI PC所執行的AI任務也不僅限於生成式AI，在不同的AI運算自然也會使用不同階層的儲存技術，自進行重度AI負載的GGDDR，通用AI運算的DRAM一直到高效能儲存等都有不同的需求。 ▲美光為AI PC提供自GDDR、DRAM至SSD等完善的高效能、可靠解決方案 ▲美光也率先推出基於LPDDR5X的LPCAMM2模組，同時已獲得聯想採用 美光也為迎接AI PC世代提供完整的布局，於GPU的GDD
Chevelle.fu
1 年前
照片中提到了E、Micron GDDR7、Micron GDDR7 redifines graphics memory to provide，包含了圈、文本、圈、儀表
COMPUTEX 2024：將為下一代高階顯示卡助陣的美光GDDR7已送樣，1-beta DRAM技術加持較GDDR6提升60%頻寬
Micron美光在COMPUTEX 2024宣布新一代的圖形記憶體GDDR7已經送樣，也預期將被應用於下一世代顯示卡、繪圖卡；美光GDDR7採用1-beta DRAM技術與新架構，實現32Gb/s的性能，系統頻寬達1.5TB/s以上，頻寬較前一世代美光GDDR6提升60%，同時支援全新睡眠模式，可為待機降低70%能耗，能為AI、遊戲與高效能運算提供良好的基石；美光GDDR7預計自2024年下半年開始出貨，目前AMD已列在業界證言夥伴。 ▲美光GDDR7基於1-beta DRAM技術 美光GDDR7延續GDDR6X導入PAM4的成功經驗，以PAM3訊號傳輸實現業界首個40Gb/s PAM3，此外
Chevelle.fu
1 年前
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