dram 全攻略 (18828) - Cool3c

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照片中提到了303000，包含了美光科技、美光科技、動態隨機存取存儲器、中國、半導體

美光宣布斥資 5,000 億日幣擴大日本廣島工廠，將以 10nm 製程開發下一代 DRAM 技術

美光宣布將日本廣島工廠導入 10nm 技術並用於下一代的 DRAM 產品，並將陸續投資達 5,000 億日幣，此次的投資案也獲得日本政府的支持；這也是美光首度在日本投入 EUV 技術，預計作為 1γ節點（10nm 製程）的 DRAM 生產；美光預計在 2025 年後於台灣以及日本工廠量產 1γ 節點的 DRAM 。 ▲美光當前最先進的製程為用於 LPDDR5X 生產的 13nm ( 1β )，美光預計 2025 年在台灣、日本量產 10nm 製程此次的擴大投資也是日本經濟產業省的日美半導體合作布局之一，希冀能夠吸引美國半導體公司在日本投資生產基地，並強化包括

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照片中提到了美光科技半導體產業少不了它!、Ov Pic、To UNDEASTAND，跟美光科技有關，包含了中部科學園區、體育器材、產品設計、台灣中部科學園管理局、台灣中部科學園局

一圖看懂半導體產業少不了它！美光科技引領全球在台灣量產1-alpha DRAM，推進記憶體產業革新

最近全球鬧晶片荒，許多國家紛紛向台灣求助，新聞中很常會報導台積電即將量產「XX奈米晶圓」先進製程，究竟這個數字代表什麼呢？數字越小為什麼越厲害？癮特務趕緊向數學老師求救，老師說：「奈米（nm）是一種長度的衡量單位，1奈米是1公尺的10億分之一（也就是0.000000001 公尺）。而晶片產業講的某個數字奈米製程（例如5奈米），就是將電晶體縮小到某5奈米的尺寸，代表電晶體的一邊寬度，不到50個奈米長。數字越小代表產品越厲害嗎？讓我們回推到10年前，當時iPhone 4推出時，採用的處理器還是用40奈米晶圓製程，現在台積電已經可以量產5奈米。換句話說，數字越小，代表在同樣規模的晶片面積之中，可

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看好智慧城市、 5G 、 AI 、大數據與物聯網對記憶體需求，南亞科技斥資 3 千億在泰山興建 12 吋晶圓廠

根據財經媒體報導，台灣記憶體大廠南亞科技宣布與新北市合作，在新北泰山南林科學園區興建全新 12 吋晶圓廠，預計在今年底動工，將分 7 年 3 階段進行，總投資達 3 千億台幣，完工後月產能約每月 4.5 萬片，預期可帶來 2,000 個就業機會，預計第一階段於 2023 年完工、 2024 年起進行量產。 ▲南亞科技將分 3 階段共 7 年進行 12 吋晶圓廠建設(圖片來源：南亞科技) 南亞科技此次投入的 12 吋晶圓廠將採用自行開發的 10nm 製程投入 DRAM 生產，目標市場包括智慧城市、 5G 、 AI 、大數據與物聯網等需求。

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美光宣布 1α 製程 DRAM 技術正式量產，較 1z 製程提高 40% 容量、首批為 DDR4 記憶體產品

美光宣布全新的 DRAM 記憶體製程技術 1α / 1-Alpha 製程開始進入量產，相較前一代 1z 製程能提高 40% 記憶體容量，首批由美光在台灣晶圓廠生產的產品將為著重運算應用的 DDR4 記憶體以及適用於消費 PC 的 Crucial DRAM 產品，而採用 1-Alpha 的 LPDDR4 記憶體也開始向行動設備商送樣、 2021 年將持續推出採用 1-Alpha 製程技術的其他新產品，未來也將擴展到 LPDDR5 產品。 ▲美光 1Alpha 製程已經開始由位於台灣的晶圓廠開始生產美光的 1-Alpha 可提供更節能且可靠的記憶體解決方案，尤以強調功耗的 LPDRA

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受制於新遊戲機需要大量 DRAM 導致資源分配困難，傳 Sony 可能放棄新相機需要動用大量緩衝的功能

根據報導指出，由於下一代遊戲機將採用 SSD 儲存以及預期 5G 產生手機的汰換潮，使得 Sony 當前面臨需要大量採購 DRAM 與 NAND ，但由於近年快閃記憶體廠商為了避免重演供過於求導致單價過低， Sony 現在將會面臨集團產品需要爭取有限 DRAM 資源的情況，顧及年末將推出眾所矚目的 PlayStation 5 ，據稱將連帶影響到 Sony 放棄新款數位相機的新功能。雖然目前還無法確認 Sony 可能因為 DRAM 不足放棄新相機的甚麼功能，不過根據 DPreview 的說法， Sony 可能放棄原本用於新款相機之堆疊式元件中的 DRAM ，少了高速的緩衝用前端 DRAM ，直

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分析師指稱， DRAM 供過於求的庫存問題最終仍會使電腦記憶體大降價

今年初就曾有一波電腦 DRAM 記憶體的大降價，一口氣將原本居高不下、消費者買不下手的記憶體價格砍到消費者能接受的價格，然而最近日、韓也開始興起半導體的材料原物戰，記憶體價格又稍稍回升，不過根據分析師指出，現在的價格還不是低點，記憶體還繼續降價。根據 Gartner 分析師的說法，由於當前記憶體廠商手中有太多賣不掉的庫存，導致他們為了產品汰換與出清庫存，將會選擇降價求售，而且記憶體供過於求的情形至少會持續到 2020 年第二季。導致當前記憶體降價的原因很多，其中也包括中美貿易戰影響手機、伺服器與 PC 品牌對記憶體的需求降低，也使得記憶體出現庫存。 ▲ DRAM 降價對消費者絕對是好事雖然

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Flash Memory, HGST Ultrastar SN200 HUSMR7616BDP301 Internal hard drive PCI Express 3.0 x4 (NVMe) 2.5" SFF 1.00 5 years warranty, HGST Ultrastar SN200 Internal Solid State Drive, HGST Ultrastar SN200 HUSMR7632BDP301 Internal hard drive PCI Express 3.0 x4 (NVMe) 2.5" SFF 1.00 5 years warranty, Solid-state drive, NVM Express, PCI Express, Hard Drives, HGST Ultrastar SN260 HUSMR7664BHP301 Internal hard drive PCI Express 3.0 x8 (NVMe) PCIe card (HHHL) 1.00 5 years warranty, HGST, hgst ultrastar sn200, technology, flash memory, electronics accessory, electronic device, electronics, product, network interface controller, data storage device, personal computer hardware

看準資料中心記憶體內運算市場需求， WD 推出 Ultrastar DC ME200 記憶體擴充硬碟產品

由於資料分析、雲處理與高效能運算應用越來越訴求高效率運算，許多相關應用想要轉以基於 DRAM 的記憶體內運算 In-Memory Computing / IMC 進行，藉由記憶體高速存取性能提升運算效率，不過受到 DRAM 價格與系統記憶體擴充上限等因素往往無法如願，尤其大容量 DRAM 價格往往提升一階價格高出數倍，需要大容量的 IMC 需要付出極高的代價；而 WD 看到 IMC 的市場商機，也在其資料中心推出首款 Ultrastar DC ME200 的記憶體擴充硬碟產品，藉由相對 DRAM 更低的成本與結合機器學習的傳輸模式，使其性能接近 DRAM 的傳輸效率，滿足市場對於 IMC 的需

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是美光消費性記憶體品牌 Crucial 歡度 21 歲，以垂直整合提供給消費者最可靠、高相容的產品這篇文章的首圖

美光消費性記憶體品牌 Crucial 歡度 21 歲，以垂直整合提供給消費者最可靠、高相容的產品

創立於 1996 年、隸屬美光旗下的消費性記憶體品牌 Crucial 轉眼間已經 21 歲，雖在品牌形象方面不是屬於鋒芒畢露，卻也因為產品穩定、可靠廣受玩家的喜愛；在稍早美光也邀請來自美國的 DRAM 市場行銷部總監 Jim Jardine 以及亞洲行銷總監曾偉樑與台灣媒體分享 Crucial 這 21 年來的歷程與 Crucial 的品牌價值。不同於其它 DRAM 品牌，直接隸屬於美光的 Crucial 是從直接由技術上游所成立的消費品牌，具有高度垂直整合的品牌，這也意味著 Crucial 有著豐厚的技術資源，雖然背後是引領技術先驅的美光，但 Crucial 卻不是為了搶快而貿然推出產品的

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是Intel 在台舉辦亞洲創新高峰會，展出與台學研合作之 DRAM 陣列記憶體原型與宣佈 IoT 開放原始碼套件這篇文章的首圖

Intel 在台舉辦亞洲創新高峰會，展出與台學研合作之 DRAM 陣列記憶體原型與宣佈 IoT 開放原始碼套件

Intel 今日在台灣舉辦首屆 Intel 亞洲區創新高峰會，強調以促成亞洲區產官學合作推動技術創新，同時也展示 Intel 與台灣產官學界合作的成果，包括展出已經與台灣工研院合作多年的陣列記憶體架構，今天由 Intel 副總裁暨實驗室執行總監王文和親自展出低耗電全 DRAM 陣列記憶體原型，強調比起既有記憶體傳輸延遲縮減 4 倍，同時降低 25 倍功耗，頻寬可超越 DDR3 三至四倍，然量產時程仍未定。其次是 Intel 實驗室也與華碩針對差異化儲存服務共同進行研究，目前提供的軟體原型在 I/O 效能可超越傳統儲存伺服器 2.5 倍；另外也宣布 Intel 台灣創新研究中心把針對 IoT 垂

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是三星發表 4GB DDR4 之 Mobile DRAM這篇文章的首圖

三星發表 4GB DDR4 之 Mobile DRAM

圖片來源： Samsung Tomorrow目前三星在行動設備用的 DRAM 進展還是處於前段班，而三星官方部落格 Samsung Tomorrow 也趕在今年結束前發表新進度：針對手持設備用的 4GB LPDDR4 ，這款新的記憶體使用 20nm 級製程（官網備註介於 20nm-30nm 之間），僅需 1.1V 的工作電壓，傳輸效能達 3,200Mbps ，比目前 LPDDR3 與 DDR3 高出 50% ，預計 2014 年推出。此款全新的高速低功耗記憶體預計將會用在手機、平板上，也可望提供下一代運算級行動設備提供更高容量與高效能的記憶體，加上三星已經宣示將於明年發表 64bit 架構的處

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