2011年11月11日（神棍節？！）南韓三星半導體在自家舉辦的「２０１１三星技術大展」上宣布：
1x奈米級的NAND Flash已經正式試作成功，同時也展示了該次試作的成果
雖然比東芝慢了半年而１ｘ奈米 Ｆｌａｓｈ試作成功所代表的意義，就是：
「如果能夠成功量產，那麼未來ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ的成本將會進一步下降」
屆時記憶卡、隨身碟、ＳＳＤ等固態儲存裝置的價格也將會比現在更便宜
目前東芝已經於今年４月宣布１９奈米的ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ開發成功
預計明年（２０１２年）Ｑ１試產 年中量產
相信明年的Ｆｌａｓｈ市場可能又是波濤洶湧的一年
