手機將邁入 TB 級容量世代,三星宣布第五代 V-NAND 技術顆粒嵌入式儲存記憶體可達 1TB

2019.02.01 06:48PM
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現在不少中階智慧手機內建的儲存空間已經自 128GB 起跳,不過隨著高品質多媒體檔案與使用者的智慧手機使用行為對儲存空間日益增加,也需要相當大的儲存空間,旗艦機種甚至提供 512GB 的選項;然而三星已經準備好將智慧手機的儲存空間推向 1TB 等級。

三星宣布他們已經開始量產基於 eUFS 2.1 規範的 1TB 快閃記憶體顆粒,基於三星第五代 V-NAND 技術,以 16 層堆疊的 512Gb 顆粒搭配專利的整合型控制器構成,在與前一世代 512GB 的 eUSF 顆粒相同的封裝大小提供高出一倍的儲存容量。

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且由於採用新技術,三星的 1TB eUSF 2.1 顆粒可提供 1,000MBps 的存取速度,有助於在搭配 NVMe SSD 傳輸檔案時,將顆粒上的 5GB 檔案於 5 秒內寫入 NVMe SSD ,比起標準的 microSD 卡高出 10 倍。

同時因應市場旗艦機種對於 1TB 級內建儲存的需求,三星預計在 2019 年上半年擴大第五代 V-NAND 512Gb 顆粒的產能,然而是否三星會在自家的旗艦機種率先使用,或是會供應給其它更希冀透過大容量做為賣點的手機品牌使用?

新聞來源:三星

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