最新 | 熱門
產業消息 世界行動通訊大會 nand 美光 摺疊手機 UFS 4.0 大型語言模型 生成式AI LLM
美光宣布9x13mm封裝UFS 4.0行動儲存解決方案已送樣，採232層3D NAND、容量達1TB
美光Micron於MWC宣布其業界最小尺寸UFS 4.0行動儲存解決方案已送樣，基於232層3SD NAND與先進封裝，在9x13mm大小的UFS封裝晶片可提供1TB容量，同時循環讀寫性能也獲得翻倍的提升，尤其對於生成式AI盛行的當下，加載大型語言模型LLM的速度可提升40%。美光升級版UFS 4.0已經送樣，提供256GB、512GB與1TB三種容量。 ▲美光小尺寸UFS 4.0解決方案基於232層3D NAND顆粒，封裝僅9x13mm 此小型化封裝是美光繼2023年6月推出11x13mm封裝的UFS 4.0解決方案後又一突破，其9x13mm尺寸也是目前全球最小且性能最強大的UFS 4.0儲
Chevelle.fu
1 年前
產業消息 智慧手機 群聯 PHISON UFS 3.1 UFS 4.0 UFS 2.2
群聯推出四款UFS儲存方案，涵蓋UFS 2.2規格入門5G手機至UFS 4.0規格旗艦款手機需求
群聯PHISON宣布一口氣推出四款全新UFS晶片，涵蓋UFS 2.2規格至最新一代的UFS 4.0規格將因應自入門級手機至旗艦手機需求，包括UFS 2.2的PS8327、UFS 3.1的PS8325、PS8329與UFS 4.0的PS8361，尤其對於入門5G手機儲存也自eMMC轉換至UFS 2.2，PS8327可提供滿足市場需求的高性價比解決方案。 群聯此次主打的是因應入門5G手機儲存規格轉換的PS8327，其支援全雙工模式的UFS 2.2規格相較半雙工的eMMC能提升3倍讀取速度，有助搭配更高規的錄影功能，同時也能進一步減少能耗；PS8327採用22nm製程，並具備小巧體積與群聯第六代LD
Chevelle.fu
1 年前
產業消息 三星 記憶體 UFS 3.1 UFS 4.0 Galaxy S24
傳三星Galaxy S24系列的128GB版本將採用價格較低、較慢的USF 3.1儲存，解決因Snapdragon 8 Gen 3價格較高的成本問題
三星傳將較前幾年大幅提早舉辦上半年的Galaxy Unpacked發表會，可能會在2024年1月下旬公布Galaxy S24系列；根據爆料指稱，三星Galaxy S24系列普遍會搭載新一代UFS 4.0儲存，但唯獨128GB將採用性能較差、但價格勢必相對便宜的UFS 3.1儲存。 爆料者yeux1122指稱，三星供應鏈的內線告訴他僅有128GB版本會採用較低的UFS 3.1儲存，其它容量版本仍會使用新一代UFS 4.0儲存；據稱可能的原因是三星打算藉此平衡由於Snapdragon 8 Gen 3價格高漲的成本問題，因為三星希望能將Galaxy S24系列定在與Galaxy S23系列相近的價格
Chevelle.fu
1 年前
產業消息 micron 美光 UFS 4.0 Snapdragon 8 Gen 3 天璣 9300
美光公布 UFS 4.0 規格的行動儲存解決方案， 4,000MB/s 順序寫入性能遠勝三星 UFS 4.0 方案
隨著新一代智慧手機對儲存的存取性能要求提升，繼三星之後， 美光 Micron 也公布基於新一代 UFS 4.0 的行動儲存解決方案，同時美光也宣布已向特定手機製造商提供樣品；美光 USF 4.0 行動儲存解決方案將提供 256GB 、 512GB 與 1TB 三種容量，預計於 2023 年下半年量產，或許可趕上年末至 2024 年初的高通 Snapdragon 8 Gen 3 與聯發科天璣 9300 旗艦機首發。 ▲美光的 UFS 4.0 解決方案相較三星 美光 UFS 4.0 行動儲存解決方案基於 232 層 TLC 顆粒，相較前一代產品寫入頻寬足足提升 100% 、讀取頻寬也有 75% 提
Chevelle.fu
2 年前
產業消息 三星 記憶體 旗艦機 Galaxy S23 UFS 4.0
傳三星 Galaxy S23 系列容量至少 256GB 起
三星傳聞將在 2023 年 2 月發表 Galaxy S23 系列，除了預期將全面採用高通 Snapdsragon 8 Gen 2 外，近日有爆料者指稱 Galaxy S23 系列將揮別 128GB 版本，全系列容量最低將自 256GB 起，爆料者的容量規格表還指稱 Galaxy S23 Ultra 將全面擁抱 12GB RAM ，不再提供 8GB 版本。 ⭕️Exclusively & officially🤩 Good news for Samsung fans It's amazing to be Galaxy S23 8Ram + 256G🔥 Galaxy S23+ 8Ram +
Chevelle.fu
2 年前
產業消息 三星 SSD UFS 4.0
三星 UFS 4.0 儲存元件進入量產 相關應用裝置最快年底問世
除了宣布旗下UFS 4.0儲存元件進入量產消息，三星也同步推出「Memory-semantic」SSD，其中透過內建動態記憶體作為快取，藉此讓少量資料讀寫速度提升，並且說明應用在人工智慧、機器學習等應用時，將比一般SSD的隨機讀取速度快上20倍。 三星在今年5月宣布推出旗下UFS 4.0儲存元件，標榜提供存取效率更高、更省電、容量更大等特性後，稍早更宣布首波產品已經進入量產階段，最快年底就會有相關應用裝置問世。 依照三星說明，旗下UFS 4.0儲存元件可在每組通道提供23.2 Gbps傳輸速度，是目前主流規格UFS 3.1的2倍以上。而配合自身打造的控制晶片，將能對應高達4200MB/s的連續
Mash Yang
2 年前
產業消息 三星 nand 儲存 UFS 4.0
三星首發更快、更省電的 UFS 4.0 儲存模組，預期用於 2022 年末至 2023 年初的新旗艦手機
三星在推特發表旗下 UFS 4.0 儲存解決方案，強調已獲得 JEDEC 核准；三星的 UFS 4.0 儲存方案不僅在通道傳輸速度為現行 UFS 3.1 的兩倍，同時大幅改善能源效率，在每 mA 的順序讀取性能提升 46% ，意味著在大量讀取資料能夠較現行顆粒更為省電。三星預計在今年第三季開始量產 UFS 4.0 ，這應該是意味著最快可在 2022 年末到 2023 年初的新一代旗艦機使用這項產品。 BREAKING: Samsung has developed the industry's highest performing Universal Flash Storage (UFS) 4.
Chevelle.fu
3 年前
科技應用 三星 UFS UFS 4.0
三星 UFS 4.0 儲存元件發表 存取效率更高、更省電、容量更大 將帶動手機、自駕車、虛擬視覺頭戴裝置等邊緣運算
在三星的UFS 4.0儲存元件設計中，採用旗下第7代V-NAND垂直記憶體，搭配專利設計的控制器，藉此對應每秒可達4200MB連續讀取速度表現，同時在連續寫入則可達每秒2800MB，相比UFS 3.1規格的使用功耗則會降低46%，意味將可讓智慧型手機待機時間大幅增加。 三星半導體 (Samsung Semiconductor)宣布推出旗下UFS 4.0儲存元件，標榜提供業界最高存取效能，在每組通道可達23.2 Gbps傳輸速度，將是目前主流規格UFS 3.1的2倍以上。 除了將近一步提升智慧型手機資料存取效率，並且增加終端裝置上的運算效能，三星更標榜能透過UFS 4.0儲存元件帶動自駕車、擴增
Mash Yang
3 年前

相關文章