Western Digital 宣布新一代嵌入式快閃記憶體 iNAND MC EU511 ，此系列嵌入式記憶體提供 64GB 到 512GB 的容量，以 Western Digital 的 96 層 3D NAND 記憶體搭配 iNAND SamartSLC Generation 6 ，可提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入性能，整體較現行技術提升 75% 隨機讀取與 25% 隨機寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。
iNAND MC EU511 已經開始供應樣品給 OEM 客戶，強調是針對 5G 世代設備所規劃的新一代儲存產品，鎖定包括 5G 與旗艦手機、高度資料密集型智慧手機、平板裝置、 Chromebook 、 AR 、 VR 、人工智慧設備、高解析相機等產品儲存需要。
新聞來源： Western Digital
