JEDEC 固態技術協會公布 HBM3 高頻寬記憶體規格標準 更高資料傳輸表現並對應更低耗電與更高容量密度

2022.01.28 06:47PM
照片中提到了SK hynix、HBM3,跟SK海力士有關,包含了hbm3、動態隨機存取存儲器、高帶寬內存、顯示卡

HBM3的獨立通道數量從HBM2時的8組增加至16組,並且能透過虛擬化方式,藉由偽通道 (Pseudo Channels)讓最高通道數量可達32組,藉此對應更高資料傳輸效率。此外,每層記憶體可對應8-32Gb容量密度,最高可對應64GB記憶體容量,而初期預期會以16Gb容量密度設計產品。

JEDEC固態技術協會稍早公布新一代高頻寬記憶體HBM3標準規格「JESD238」,相比現有HBM2、HBM2e提供更高資料傳輸頻寬。

在「JESD238」設計規範中,說明HBM3將對應每秒6.4gbps的資料傳輸速度,以及高達每秒可傳遞819GB的傳輸頻寬,另外也對應16-high TSV堆疊設計,可對應4GB至64GB記憶體容量,最高能以虛擬化方式對應32通道傳輸模式。

HBM3具備更高傳輸頻寬、更快傳輸表現,同時也對應更低功耗運作特性,並且符合更密集的運算數據傳輸暫存需求,藉此推動運算效能、更複雜圖像運算。

而HBM3的獨立通道數量從HBM2時的8組增加至16組,並且能透過虛擬化方式,藉由偽通道 (Pseudo Channels)讓最高通道數量可達32組,藉此對應更高資料傳輸效率。此外,每層記憶體可對應8-32Gb容量密度,最高可對應64GB記憶體容量,而初期預期會以16Gb容量密度設計產品。

另外,HBM3也加入支援ECC錯誤校正、錯誤回報,藉此對應運作可靠性與可維護特性,並且對應0.4V訊號傳輸電壓,以及僅1.1V的工作電壓,藉此降低整體運作時的耗電量。

目前SK海力士 (SK hynix)等記憶體業者已經宣布推出HBM3記憶體模組,預計很快就會應用在顯示卡、處理器等產品應用設計。

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