HBM3的獨立通道數量從HBM2時的8組增加至16組，並且能透過虛擬化方式，藉由偽通道 (Pseudo Channels)讓最高通道數量可達32組，藉此對應更高資料傳輸效率。此外，每層記憶體可對應8-32Gb容量密度，最高可對應64GB記憶體容量，而初期預期會以16Gb容量密度設計產品。
JEDEC固態技術協會稍早公布新一代高頻寬記憶體HBM3標準規格「JESD238」，相比現有HBM2、HBM2e提供更高資料傳輸頻寬。
在「JESD238」設計規範中，說明HBM3將對應每秒6.4gbps的資料傳輸速度，以及高達每秒可傳遞819GB的傳輸頻寬，另外也對應16-high TSV堆疊設計，可對應4GB至64GB記憶體容量，最高能以虛擬化方式對應32通道傳輸模式。
HBM3具備更高傳輸頻寬、更快傳輸表現，同時也對應更低功耗運作特性，並且符合更密集的運算數據傳輸暫存需求，藉此推動運算效能、更複雜圖像運算。
而HBM3的獨立通道數量從HBM2時的8組增加至16組，並且能透過虛擬化方式，藉由偽通道 (Pseudo Channels)讓最高通道數量可達32組，藉此對應更高資料傳輸效率。此外，每層記憶體可對應8-32Gb容量密度，最高可對應64GB記憶體容量，而初期預期會以16Gb容量密度設計產品。
另外，HBM3也加入支援ECC錯誤校正、錯誤回報，藉此對應運作可靠性與可維護特性，並且對應0.4V訊號傳輸電壓，以及僅1.1V的工作電壓，藉此降低整體運作時的耗電量。
目前SK海力士 (SK hynix)等記憶體業者已經宣布推出HBM3記憶體模組，預計很快就會應用在顯示卡、處理器等產品應用設計。
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