
JEDEC 固態技術協會公布 HBM3 高頻寬記憶體規格標準 更高資料傳輸表現並對應更低耗電與更高容量密度
HBM3的獨立通道數量從HBM2時的8組增加至16組,並且能透過虛擬化方式,藉由偽通道 (Pseudo Channels)讓最高通道數量可達32組,藉此對應更高資料傳輸效率。此外,每層記憶體可對應8-32Gb容量密度,最高可對應64GB記憶體容量,而初期預期會以16Gb容量密度設計產品。 JEDEC固態技術協會稍早公布新一代高頻寬記憶體HBM3標準規格「JESD238」,相比現有HBM2、HBM2e提供更高資料傳輸頻寬。 在「JESD238」設計規範中,說明HBM3將對應每秒6.4gbps的資料傳輸速度,以及高達每秒可傳遞819GB的傳輸頻寬,另外也對應16-high TSV堆疊設計,可對應4
3 年前