科技應用 hbm2 固態技術協會 HBM3 JEDEC 固態技術協會公布 HBM3 高頻寬記憶體規格標準 更高資料傳輸表現並對應更低耗電與更高容量密度 HBM3的獨立通道數量從HBM2時的8組增加至16組，並且能透過虛擬化方式，藉由偽通道 (Pseudo Channels)讓最高通道數量可達32組，藉此對應更高資料傳輸效率。此外，每層記憶體可對應8-32Gb容量密度，最高可對應64GB記憶體容量，而初期預期會以16Gb容量密度設計產品。 JEDEC固態技術協會稍早公布新一代高頻寬記憶體HBM3標準規格「JESD238」，相比現有HBM2、HBM2e提供更高資料傳輸頻寬。 在「JESD238」設計規範中，說明HBM3將對應每秒6.4gbps的資料傳輸速度，以及高達每秒可傳遞819GB的傳輸頻寬，另外也對應16-high TSV堆疊設計，可對應4 Mash Yang 12 個月前
產業消息 hpc AI SK hynix 超算 HBM3 高頻寬記憶體 SK Hynix 宣布完成 HBM3 高頻寬記憶體開發，傳輸性能達 819GB/s 、單顆粒最高 24GB 韓國 SK Hynix 宣布完成新一代高頻寬記憶體 HBM3 的開發，將作為 HBM2E 之後的下一代產品，相較 HBM2E 進一步提升容量與傳輸性能，傳輸性能最高可達 819GB/s 。 HBM3 同樣鎖定非消費市場的專業應用而來，包括高性能的資料中心、 AI 機器學習以及 HPC 等。 ▲ HBM3 傳輸性能較 HBM2E 提升 78% ，單顆粒容量亦自 16GB 提升到最大 24GB HBM3 將儲存容量進一步提升到單一顆粒最大 24GB ，是透過 TSV 穿孔技術將 12 個晶片堆疊而來，晶片厚度約略與 A4 紙厚度相近、為 30μm ，其傳輸性能比起 HBM2E 提升 78%， Chevelle.fu 1 年前
