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產業消息 美光 HBM3e HBM4 Rubin
美光36GB HBM4樣品開始出貨給主要客戶，提升60%以上傳輸性能與提高20%能源效率
具備高吞吐量的HBM記憶體是當前HPC與AI運算不可或缺的關鍵元件之一，美光宣布已經針對多家主要客戶提供36GB 12層 HBM4的樣品，藉由更高的頻寬提升通訊與吞吐量，能夠如大型語言模型、推論推理性能進一步提升；美光強調相較HBM3E提升60%以上的頻寬，同時增強20%的能源效率。 美光預計於2026年量產HBM4記憶體，並預告將與客戶下一代AI平台量產同步 ▲美光HBM4基於1-beta製程，每記憶體堆疊頻寬預期超過2TB/s 美光的HBM4記憶體基於成熟的1-beta DRAM製程，並結合12層先進封裝與記憶體自檢測(MBIST)技術提供AI平台客戶與合作夥伴所需的性能及可靠性；美光HB
Chevelle.fu
1 個月前
產業消息 nvidia LPDDR5X 記憶體模組 HBM3e LPCAMM2 SOCAMM
美光攜手NVIDIA開發基於LPDDR5X的SOCAMM資料中心記憶體模組，已導入NVIDIA GB300解決方案
雖然傳統LPDDR記憶體多採用直接焊接在系統PCB的方式，然而隨著包括可維護性、可升級性等需求，LPDDR在市場也產生模組化的需求，是故如筆電領域已有像是LPCAMM2等已被JEDEC標準化的新式記憶體模組；不過畢竟消費市場與伺服器、工作站的需求不同，美光宣布與NVIDIA共同合作，開發基於LPDDR5X記憶體的資料中心級記憶體模組SOCAMM，相對傳統DDR5記憶體模組尺寸更小、頻寬更高且能源效率更出色，當前SOCAMM已經導入NVIDIA最新一代的GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip解決方案。 為AI資料中心規劃的小型、高性能、高可靠記憶體模組SOCA
Chevelle.fu
4 個月前
產業消息 nvidia LPDDR5 HBM3e LPCAMM HBM3e 12H GB300 GTC 2025
NVIDIA於GTC 2025的重頭戲將會是Blackwell GB300，配有288GB的HBM3e記憶體、搭配LPCAMM記憶體模組
NVIDIA在COMPUTEX 2024的主題演講由執行長黃仁勳確立了加速器產品兩年架構大改、隔年記憶體升級的策略；根據經濟日報指稱，NVIDIA在2025年年度活動GTC 2025的重頭戲將會放在Blackwell架構小改版的GB300，除了記憶體升級以外，也將包括水冷設計、網卡等周邊搭配進行升級，其中關鍵的記憶體將升級12層HBM3e，使容量自當前GB200的192GB提高至288GB，此外功耗高達1,400W。 ▲爆料指稱NVIDIA GB300平台將使用LPCAMM記憶體模組取代現行板載鑲嵌，照片為美光LPCAMM2模組 經濟日報引述供應鏈說法，GB300平台使FP4性能提高1.5倍，
Chevelle.fu
7 個月前
產業消息 COMPUTEX台北國際電腦展 AMD apu 異構運算 Zen 5 HBM3e Instinct MI350X Instinct MI325X Instinct MI400X
COMPUTEX 2024：AMD Instinct MI300X異構APU加速處理器將連兩年改版MI325X、MI350X，2026年再推新架構MI400X
握有CPU、GPU與NPU三大技術的AMD有著良好的異構加速運算基礎，為了面臨更複雜的加速運算世代，AMD在2023年公布首款異構加速APU處理器Instinct MI300X，AMD執行長Lisa Su在COMPUTEX 2024宣布Instinct MI300X將在2024年與2025年分別迎接一次技術升級，延伸記憶體強化的Instinct MI325X與採用3nm製程、新CDNA4的Instinct MI350X，而2026年將推出架構大改版的Instinct MI400X。 ▲Instinct MI325將搭載更大容量、更高頻寬的HBM3E記憶體，意義上類似NVIDIA的H200之於H
Chevelle.fu
1 年前
產業消息 COMPUTEX台北國際電腦展 nvidia 乙太網路 架構 HBM3e HBM4 Rubin Blackwell Ultra Rubin Ultra
COMPUTEX 2024：NVIDIA運算產品線將採GPU架構兩年更新隔年小改版的週期，2026推出Vera CPU與Rubin GPU
NVIDIA在2024年5月的財報電話會議宣布GPU加速與AI產品將逐年更新，在NVIDIA CIMPUTEX 2024的主題演講，NVIDIA執行長黃仁勳呼應在電話會議的說法，但進一步釐清逐年更新的定義；與業界原本預期不同的是NVIDIA並不打算改變當前兩年一次GPU架構更新的節奏，而是將Hopper架構推出隔年的升級更新變成常態；不過更驚喜的是黃仁勳也在這場活動公告2026年的新GPU就以「Rubin」作為代號，同時也會推出新一代Arm指令集CPU「Vera」，循「Grace Hopper」模式致敬知名天文學家Vera Rubin。 ▲NVIDIA的每年更新實質上就是把H100在隔年推出記
Chevelle.fu
1 年前
科技應用 nvidia 美光 SK 海力士 HBM3e 高密度記憶體
NVIDIA 新架構支援 HBM3e 高密度記憶體 SK 海力士、美光率先量產
隨著 NVIDIA 新一代「Blackwell」顯示架構的推出，SK 海力士與美光也展示了他們的 HBM3e 高密度記憶體。 隨著NVIDIA揭曉代號「Blackwell」的新一代顯示架構，包含SK海力士 (SK hynix)、美光也各自介紹其HBM3e高密度記憶體特性，並且強調對應高效能人工智慧應用。 SK海力士表示，其HBM3e高密度記憶體已經開始量產，預計從3月下旬開始對外供貨，同時藉由大量迴焊模塑封裝 (MR-MUF)技術讓記憶體散熱效率提高10%。 運作效率方面，SK海力士說明其HBM3e高密度記憶體每秒可處理1.18TB資料量，並且能在1秒內傳輸230部Full HD畫質電影。 而
Mash Yang
1 年前
產業消息 NVIDIA GTC micron 美光 HBM3e NVIDIA H200
GTC 2024：美光於GTC大會展示已量產的8層堆疊24GB HBM3E解決方案在內的多項記憶體與儲存解決方案
美光日前宣布其8層堆疊HBM3E記憶體已量產，並將在2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨；在GTC 2024活動，美光展示一系列記憶體與儲存解決方案，挹注自雲端至邊際的AI應用。同時競爭對手三星、Hynix也同樣在會場展示HBM3E記憶體。 ▲美光預計在2024年再推出12層36GB HMB3E記憶體 美光展示的解決方案包括：1、8層堆疊24GB HBM3E解決方案與後續12層36GB HBM3E解決方案。2、使用單片晶粒具低延遲與低功耗優勢的DDR5 RDIMM記憶體。3、支援NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X記憶體解決方案與LPCAMM2模組。4、可在3D
Chevelle.fu
1 年前
產業消息 三星 hpc AI 加速器 生成式AI HBM3e HBM3e 12H
三星將於2024年上半年量產36GB HBM3e 12H，採用12層堆疊、達1,280GB/s頻寬
不讓美光8層堆疊的HBM3e專美於前，三星宣布業界首款12層堆疊的HBM3e 12H DRAM，將容量推進至36GB，對於高效能運算、AI加速器等產品相較HBM3 8H可提升達50%的記憶體容量，同時傳輸頻寬一舉提升至1,280GB/s，預期相較HBM3 8H於AI領域可提高34%訓練性能、推論的同時用戶數則可提高11.5倍。三星HBM3e 12H已經送樣，預計2024年上半年量產 ▲三星HBM3e 12H將於2024年上半年量產 三星HBM3e 12H採用TC NCF(熱壓非導電薄膜)技術，使12層堆疊與8層堆疊的高度相同，滿足當前HBM封裝需求，TC NFC將為更多層堆疊帶來優勢，尤其可減
Chevelle.fu
1 年前
產業消息 nvidia 美光 記憶體 推論加速器 生成式AI LLM HBM3e H200
美光8層堆疊24GB HBM3e記憶體正式量產，NVIDIA H200 Tensor Core GPU率先採用
美光Micron宣布兼具高效能、大容量且更節能的HBM3e記憶體已正式量產，同時NVIDIA H200 Tensor Core GPU為首款宣布採用美光8層堆疊的24GB HBM3e解決方案的產品，並於2024年第二季出貨。同時美光預計於2024年3月還將推出12層堆疊36GB HBM3e記憶體樣品，並成為NVIDIA GTC大會贊助夥伴，屆時將分享更多美光AI記憶體產品組合與藍圖。 ▲於2023年11月公布的NVIDIA H200 Tensor Core GPU將是美光HBM3e的先行導入產品 HBM記憶體是當前高效能運算、AI應用、資料中心等不可或缺的記憶體技術，美光新一代HBM3e記憶體
Chevelle.fu
1 年前
產業消息 nvidia AI SK hynix HBM3e HBM4 加速卡
SK Hynix宣布2024年投入新一代HBM4記憶體開發，市場預估2025至2026年商用化
雖然AMD在VEGA架構世代示範HBM記憶體對於消費級顯示卡產品會額外添加成本但對遊戲效益不高，然而在HPC與AI運算領域就是市場大熱門的記憶體技術，如NVIDIA預計在2024年第一季推出的NVIDIA H200僅將記憶體至HBM3改為HBM3e，效能就獲得相當的提升；韓國記憶體大廠SK Hynix在官方部落格的年度回顧提到，SK Hynix預計於2024年投入下一代HBM4記憶體的開發。 ▲HBM3e雖是HBM3的強化版本，但更高的頻寬則能將AI加速器的性能進一步提升 由於現在仍在等待JEDEC公布HBM4的最終規格，故HBM4記憶體不會那麼快問世，市場預期正式量產的時間可能會在2025年
Chevelle.fu
1 年前

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