最新 | 熱門
前Intel NAND部門品牌Solidigm淡出消費級SSD，專注在資料中心等專業領域產品
Intel在2021年將旗下NAND部門轉讓給SK Hynix後成立Solidigm品牌，原本維持消費級產品與企業級產品二路並進的策略，不過最近Solidigm在消費產品相當安靜，並未公布如其它品牌宣布PCIe Gen 5或增強版的PCIe Gen 4產品，現在Solidigm官網也將唯二的消費級產品P44 Pro與P41 Plus冠上停產，在未有其它新品的情況下，此外官網產品欄目也不再有消費級產品的項目，等同淡出消費產品、專注在更高利潤的資料中心產品。 ▲Solidigm當前著重在企業與專業儲存產品 不過以Sk Hynix原本就有自有品牌的消費級儲存產品，且除了內接式的SSD以外還有外接儲存
Chevelle.fu
3 個月前
Solidigm推出達122TB容量的D5-P5336資料中心級PCIe SSD，採QLC顆粒提供5年無限隨機寫入保固
Solidigm公布Solidigm D5-P5336資料中心SSD，相較前一代61.44TB產品的容量直接翻倍達到122.88TB，等同將1990年代電影4K電影畫質總容量加總的2.6倍，同時還率先提供5年無限隨機寫入次數的保固，強調對其可靠性深具信心。 ▲DP-P5336雖為QLC技術，但提供5年無限隨機寫入的保固 Solidigm D5-P5336採用QLC顆粒，強調Solidigm自2018年出貨QLC顆粒已超過100EB容量，亦為QLC技術領先者，提供高效能與高度可靠性，此外D5-P336的每TB耗電量也遠低於其它競品，能將資料中心的能源更有效益的使用。 Solidigm D5-P5
Chevelle.fu
5 個月前
照片中提到了SK hynix、SK hynix、GDDR7，跟SK海力士、SK海力士有關，包含了SK海力士HBM3E、GDDR7顯存、動態隨機存取存儲器、高帶寬內存
SK Hynix宣布2024年Q3量產頻寬最高40Gbps的GDDR7，為下一代高階顯示卡備戰
隨著NVIDIA新一代消費級顯示卡GeForce RTX 50系列可能會在2025年公布，為了使下一代顯示卡具備更高的性能，預期陸續出貨的GDDR7記憶體將會成為新一代高階顯示卡搭配的記憶體；在三星、美光陸續公布GDDR7計畫後，SK Hynix也宣布推出GDDR7記憶體，預計在2024年第三季開始量產，預計應用在高階3D圖型(娛樂級顯示卡、繪圖卡)、AI、高效能運算與自動駕駛等產品。 ▲SK Hynix的GDDR7預計在2024年第三季量產 SK Hynix的GDDR7將可達到32Gbps的傳輸頻寬，相較GDDR6提升60%頻寬，還可在特定條件下實現40Gbps的頻寬，搭配高階GPU則可在每
Chevelle.fu
9 個月前
SK Hynix宣布2024年投入新一代HBM4記憶體開發，市場預估2025至2026年商用化
雖然AMD在VEGA架構世代示範HBM記憶體對於消費級顯示卡產品會額外添加成本但對遊戲效益不高，然而在HPC與AI運算領域就是市場大熱門的記憶體技術，如NVIDIA預計在2024年第一季推出的NVIDIA H200僅將記憶體至HBM3改為HBM3e，效能就獲得相當的提升；韓國記憶體大廠SK Hynix在官方部落格的年度回顧提到，SK Hynix預計於2024年投入下一代HBM4記憶體的開發。 ▲HBM3e雖是HBM3的強化版本，但更高的頻寬則能將AI加速器的性能進一步提升 由於現在仍在等待JEDEC公布HBM4的最終規格，故HBM4記憶體不會那麼快問世，市場預期正式量產的時間可能會在2025年
Chevelle.fu
1 年前
照片中提到了SK hynix、H25TØTD 18C、X655 328T，包含了橙子、SK海力士、快閃記憶體、美光科技、快閃記憶體
SK Hynix 可能成為 KIOXIA 與 Western Digital 合併的阻礙
根據日本日經報導，韓國 SK Hynix 可能會成為 KIOXIA 與美國 Western Digital 合併的阻礙，間接持有日本 KIOXIA 鎧俠股份的 SK Hynix 可能會阻止這樁合併案，同時也尋求日本軟銀集團合作作為 KIOXIA 與 Western Digital 合併失敗的備案計畫。目前 KIOXIA 與 Western Digital 正在爭取金融機構的貸款， SK Hynix 的態度恐怕會影響金融機構的意願。 ▲ SK Hynix 原本就有意願與 KIOXIA 合作，同時一旦 KIOXIA 與 Western Digital 合併將在 NAND 記憶體反超 Sk Hyni
Chevelle.fu
1 年前
照片中提到了SK hynix、НВМЗЕ、SK hynix，跟SK海力士、SK海力士有關，包含了電子配件、三星電子、動態隨機存取存儲器、電腦
SK Hynix 宣布傳輸性能達 1.15TB/s 的 HBM3E 頂級 DRAM ，借助液冷填充物強化散熱性能
HBM 記憶體是目前 HPC 與頂級 AI 系統不可或缺的記憶體技術，雖然成本高然而可提供比常規 DDR 與 GDDR 更快的傳輸性能；韓國 SK Hynix 宣布推出新一代的 HBM3E ，將傳輸性能提升到 1.15TB/s ，其關鍵在於採用液態冷卻填充物解決高溫影響效能的問題； SK Hynix 預計在 2024 年上半年量產，同時 HBM3e 也將與現行 HBM3 具有 Pin-to-Pin 的特性，能在既有的設計以 HBM3e 取代 HBM3 。在合作夥伴證言中，確認 NVIDIA 將成為 SK-Hynix 的 HBM3E 客戶之一。 目前 SK-Hynix 並未公布 HBM3E 的堆
Chevelle.fu
1 年前
SK Hynix 開始量產 24GB LPDDR5X DRAM ，率先由 OPPO 旗下 OnePlus Ace2Pro 採用
OPPO 旗下品牌 OnePlus 一加在 2023 年 8 月 10 日公布旗艦手機 Ace2Pro ， Ace2Pro 最引人注目的即是配有高達 24GB RAM ，遠超目前市場上多數旗艦級智慧手機的記憶體配置； Ace2Pro 所採用的記憶體是由韓國 Sk Hynix 提供的大容量 LPDDR5X ，也是目前唯一一家在行動產品提供高達 24GB 容量的 LPDDR5X 記憶體的記憶體製造商。 ▲ SK Hynix 將 2022 年公布的 LPDDR5X 產品的容量提升至 24GB ，滿足新一代頂級智慧手機的規格需求 SK Hynix 在 2022 年 11 月完成高性能的 LPDDR5X
Chevelle.fu
1 年前
SK Hynix 公布 321 層 4D NAND 記憶體樣品，預計 2025 年量產
NAND 記憶體堆疊的層數將影響容量，也是 NAND 產業技術力的象徵； SK Hynix 在 2023 年的快閃記憶體高峰會( FMS )展示最新的技術進展，將 NAND 層數堆疊突破 300 層以上，實現 321 層 4D NAND ；不過 SK Hynix 的 321 層 4D NAND 仍為技術展示階段，預計在 2025 年上半年才會正式量產。 ▲ 321 層 4D NAND 提高容量密度，也使產能獲得提升 SK Hynix 的 321 層技術建立在現在的 238 層 NAND 開發的成果，同時相較 238 層 512Gb 顆粒， 321 層 1Tb TLC NAND 受惠堆疊層數增加
Chevelle.fu
1 年前
SK hynix 在台首度推出消費級產品 Beetle X31 美型行動固態硬碟，同步引進兩系列 M.2 SSD 產品
南韓記憶體大廠 SK hynix 宣布正式在台推出消費級儲存產品，第一波主打美型設計的可攜式固態硬碟 Beetle X31 ，強調不同於業界此級距產品多採用 DRAM-less 技術， Beetle X31 採用高成本、高效能的解決方案，提供更穩定的存取效能，同時發想自聖甲蟲的鋁合金外殼也兼具造型與散熱；除了 Beetle X31 ， SK hynix 也同步在台引進固態硬碟模組，首推高效能、最大 2TB 的 Platinum P41 PCIe Gen 4 NVMe SSD ，另針對主流級需求推出 Gold P31 PCIe Gen 3 NVMe SSD 。 ▲ Beetle X31 是 SK
Chevelle.fu
1 年前
照片中提到了SK hynix、LPDDR5T、WE，跟德洛瑞安汽車公司有關，包含了動態隨機存取存儲器、快閃記憶體、動態隨機存取存儲器、內存、SK海力士
SK Hynix 公布比 LPDDR5X 快 13% 的 LPDDR5T ，不過本質還是 LPDDR5X
SK Hynix 宣布推出新一代行動高速記憶體 LPDDR5T ，相較現行最高階的 LPDDR5X 高出 13% 的傳輸效能，可達到 9.6Gbps 頻寬，一秒約可傳輸達 77GB 的資料。 SK Hynix 已經開始為合作伙伴發出 LPDDR5T 的樣品，預計 2023 下半年進行量產。 ▲ SK Hynix 將提供 16GB 的 LPDDR5T 封裝顆粒 LPDDR5T 並非新技術產品，而是 LPDDR5 的持續改良版，所謂的 T 指的是 Turbo ，相較標準的 LPDDR5 的 6.4Gbps 速度高出近 1/3 效能，同時維持在 JEDEC 規範的 1.01 至 1.12V 超低電壓
Chevelle.fu
2 年前
友站推薦
《晶片法案》效果浮現：傳韓國三星、SK海力士扭轉對中布局，投入鉅資在美打造半導體供應鏈
關鍵評論 - 莊貿捷
《晶片法案》效果浮現：傳韓國三星、SK海力士扭轉對中布局，投入鉅資在美打造半導體供應鏈

相關文章