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Solidigm P44 Pro PCIe Gen 4.0 1TB SSD 評測，表現合乎預期的高性能 Gen 4.0 SSD

由前 Intel 儲存部門與 Sk Hynix 結合而來的儲存品牌 Solidigm 雖對消費者屬新興品牌，當前的產品也仍不算多，但以具備軟硬體實力的兩大知名儲存品牌作為後盾，使其產品具備相當的可信賴度； Solidigm 繼推出主打平價的 P41 Plus Gen 4.0 SSD 後，再推出鎖定追求極致效能的玩家級新品 Solidigm P44 Pro PCIe Gen 4.0 SSD 。 ▲ P44 Pro 是 Solidigm 第二款消費級 PCIe Gen 4.0 儲存產品雖說目前新一代 PC 平台已經逐漸支援 PCIe 5 技術，但考慮到實際情境，姑且先不論 PCIe Gen 5.

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照片中提到了Blazing fast, incredibly efficient.、Solidigm's flagship PCIe 4.0 M.2 SSD.、SOLIDIGM.，包含了多媒體、電腦鼠標、計算機鍵盤、顯示卡、電子產品

Solidigm 推出達 7,000MB/s 的 P44 Pro 旗艦級 PCIe 4.0 固態硬碟

承襲 Intel 儲存技術、隸屬 SK Hynix 旗下獨立子公司 Solidigm 宣布推出首款高效能消費級 PCIe 4.0 儲存產品 Solidigm P44 Pro ，具備達 7,000MB/s 的讀取效能，同時內部測試呈現出色的 5.3W 功耗，兼具效能與節能； P44 Pro 提供 512GB 、 1TB 與 2TB 等容量，提供 5 年保固，並符合 PlayStation 5 擴充儲存的規格需求。 ▲ Solidigm P44 Pro 儲存效能達 7,000MB/s ，功耗僅 5.3W Solidigm P44 Pro 是繼 P41 Plus 後第二款冠上 Solidigm 的消

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照片中提到了FANI/WP、M2、XCK*，跟堆棧路徑有關，包含了電子產品、電子產品、電腦硬件、中央處理器、電子工程

源自 Intel 與 Sk Hynix 的 Solidigm P41 Plus 1TB SSD 評測，保守安心的入門級 PCIe Gen 4.0 SSD 新選擇

在 Intel 將儲存部門轉讓給 Sk Hynix 後，成立了結合雙方儲存技術的新品牌 Solidigm ，繼日前正式以 Solidigm 名義發表專業儲存產品後，近日再宣布推出冠上 Solidigm 品牌的消費級產品，同時也是品牌第一款 PCIe 4.0 產品 Solidigm P41 Plus ，不過作為 Solidigm 品牌首款消費級產品， Solidigm P41 Plus 不打頂級市場，反而是鎖定親民價位的入門級 PCIe Gen 4 產品。 ▲此次測試的是 1TB 版本 ▲在 Solidigm 官網選擇下載驅動，會被引導到 Intel 官方頁面 Solidigm 強調產品以結合

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照片中提到了Introducing the Solidigm P41 Plus、Amazing Speed + Value. Every day.、SOLIDIGM，跟薩特勒有關，包含了固態硬盤、SK hynix Platinum P41 PCIe NVMe Gen4 M.2 2280 內置 SSD l 高達 7,000MB/S l Compact M.2 SSD 外形 SK hynix SSD、PCI Express、英特爾、2 TB

Solidigm 推出首款消費級 SSD Solidigm P41 Plus ，讀取效能達 4,125MB/s 、鎖定平價市場

由前 Intel 儲存部門與 SK Hynix 聯合成立的 Solidigm 繼推出資料中心級儲存產品後，宣布推出首款消費級 SSD 產品 Solidigm P41 Plus ，採用逐漸成為中高階市場主流的 PCIe 4.0 ，不過並非主打頂級市場，而是隸屬平價產品，滿足對遊戲、商務或是內容編輯等日常需求； Solidigm P41 Plus 將提供 512GB 、 1TB 與 2TB 三種規格，除了消費級的 M.2 2280 外，亦將針對企業用戶提供 2230 與 2240 規格。 ▲ Solidigm P41 屬於入門級 PCIe Gen 4 規格，採用 144 層顆粒 NAND Soli

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照片中提到了A、SK hynix、CXL 2.0 Memory，跟SK海力士、SK海力士有關，包含了DDR5 SDRAM、DDR5 SDRAM、計算快速鏈接、動態隨機存取存儲器、內存

SK Hynix 推出資料中心級 CXL DDR5 記憶體樣品，使用基於 PCIe 的 CXL 協議可擴充記憶體總容量與總頻寬

韓國 SK Hynix 公布基於 DDR5 RAM 與 PCIe 5.0 的 CXL 2.0 記憶體樣品，使用 EDSFF E3.S 型態，借助基於 PCIe 5.0 x 8 通道的 CXL 協定，能夠使資料中心系統突破 CPU 平台記憶體通道限制，利用 PCIe 通道提升系統記憶體容量，使系統實現高達 1.15TB 的總 RAM 容量。 SK Hynix 預計會在 8 月初的快閃記憶體封會、 9 月下旬的 Intel Innovation 與 10 月的 OCP 峰會進行展示。 ▲借助利用 4 路 PCIe 5.0 x8 的 CXL 2.0 記憶體模組，使記憶體總頻寬提升同時總容量翻倍 SK

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照片中提到了SK hynix、HBM3，跟SK海力士有關，包含了動態隨機存取存儲器、高帶寬內存、拉姆布斯

SK Hynix 宣布完成 HBM3 高頻寬記憶體開發，傳輸性能達 819GB/s 、單顆粒最高 24GB

韓國 SK Hynix 宣布完成新一代高頻寬記憶體 HBM3 的開發，將作為 HBM2E 之後的下一代產品，相較 HBM2E 進一步提升容量與傳輸性能，傳輸性能最高可達 819GB/s 。 HBM3 同樣鎖定非消費市場的專業應用而來，包括高性能的資料中心、 AI 機器學習以及 HPC 等。 ▲ HBM3 傳輸性能較 HBM2E 提升 78% ，單顆粒容量亦自 16GB 提升到最大 24GB HBM3 將儲存容量進一步提升到單一顆粒最大 24GB ，是透過 TSV 穿孔技術將 12 個晶片堆疊而來，晶片厚度約略與 A4 紙厚度相近、為 30μm ，其傳輸性能比起 HBM2E 提升 78%，

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SK hynix 宣布推出 176 層 4D NAND Flash 技術，除當前 512Gb 版還將開發 1Tb 版本

韓國 SK hynix 宣布新一代的 4D NAND Flash ，除了將堆疊層數提升到 176 層以外，全新的 PUC ( Peri. Under Cell )技術藉由將原本的外圍電路( Peri. )堆疊到顆粒單元( Cell )下方，進一步減少單位面積，容量可達 512Gb 。 SK hynix 的 4D NAND Flash 預計在 2021 年用於行動產品，同時也規劃用於消費與企業級 SSD 產品。 ▲ SK hynix 的 PUC 技術將外圍電路配置在顆粒單元下方 Sk hynix 的 4D NAND Flash 為 176 層 512Gb TLC 顆粒，較現行 96 層產品提升

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照片中提到了OPTANE，跟英特爾、英特爾有關，包含了創新情報、電腦硬件、英特爾傲騰H10固態硬盤HBRPEKNX、3D XPoint

SK hynix 以 90 億美金收購 Intel 的 NAND 記憶體部門，包含業務、零組件與大連工廠

看起來未來市場上將看不到 Intel 品牌的 SSD 了，韓國 SK Hynix / SK 海力士宣布以 90 億美金收購 Intel 的 NAND 記憶體部門，其中包括 NAND SSD 、 NAND 零組件、晶圓與中國大連的工廠， Intel 僅保留屬性較特殊的 Optane 相關業務，但同時仍將於大連工廠生產 Optane 用的記憶體。雙方希望能再 2021 年下半年獲得全球相關單位的收購核准，目前 SK hynix 已經先行支付 70 億美金的頭款，最終再 2025 年 3 月付完剩餘的 20 億美金，完成包括 IP 、研發與人員等地收購。根據 Intel 的聲明，雖然 NAND

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照片中提到了HBM2E、HBM2E、SK hynix，跟SK海力士、哈瓦爾有關，包含了動態隨機存取存儲器、高帶寬內存、固態硬盤

SK hynix 宣布量產 HBM2E 超頻寬記憶體，可達 460GBps 性能、單顆粒達 16GB

SK hynix 宣布開始量產去年 8 月所發表的 HBM2E 高頻寬記憶體，這是 SK hynix 新一代的 HBM 記憶體，每個針腳傳輸速度達 3.6Gbps 、可同步進行 1,024 個 I/O 通道傳輸，單晶片最高傳輸性能達 460GBps 。 HBM2E 採用 TSV 技術，以 8 個 16Gb 晶片堆疊、單晶片容量可達 16GB ，相較 SK hynix 當前的 HBM2 容量大了一倍以上。 HBM 記憶體具備高速傳輸、大容量與低功耗等特性，但單價也較常規的 DDR RAM 、 GDDR RAM 更高，多半用於加速器、超級電腦的定製處理器等領域，僅有 AMD 曾在消費級的 Rad

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韓國 SK Hynix 宣布完成 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM 開發，預計 2020 年量產

韓國 SK Hynix 宣布完成下一代記憶體規格 DDR5 顆粒的開發，以 1Ynm 製程完成 16Gb DDR5 顆粒，相較 DDR4 具備更高的速度與密度，同時功耗也更低。 SK Hynix 傳輸速度達 5,200Mbps ，頻寬達 41.6GB ，號稱可在 1 秒內傳輸達 11 部 3.7GB 的 HD 影片內容，同時電壓僅 1.1V ，比起 DDR4 可望降低 30% 功耗；不過即便晶片完成開發，考慮到市場需求預期 2020 年才會開始爆發， SK Hynix 的 DDR5 顆粒要到 2020 年才會開始量產。新聞來源： PC.Watch

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