SK Hynix 宣布完成 HBM3 高頻寬記憶體開發,傳輸性能達 819GB/s 、單顆粒最高 24GB

2021.10.21 01:08AM
照片中提到了SK hynix、HBM3,跟SK海力士有關,包含了動態隨機存取存儲器、高帶寬內存、拉姆布斯

韓國 SK Hynix 宣布完成新一代高頻寬記憶體 HBM3 的開發,將作為 HBM2E 之後的下一代產品,相較 HBM2E 進一步提升容量與傳輸性能,傳輸性能最高可達 819GB/s 。 HBM3 同樣鎖定非消費市場的專業應用而來,包括高性能的資料中心、 AI 機器學習以及 HPC 等。

▲ HBM3 傳輸性能較 HBM2E 提升 78% ,單顆粒容量亦自 16GB 提升到最大 24GB

HBM3 將儲存容量進一步提升到單一顆粒最大 24GB ,是透過 TSV 穿孔技術將 12 個晶片堆疊而來,晶片厚度約略與 A4 紙厚度相近、為 30μm ,其傳輸性能比起 HBM2E 提升 78%,根據 SK Hynix 的敘述,足以能在 1 秒內傳輸 163 部 5GB FuLLHD 短片。

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