科技應用 台積電 高頻寬記憶體 A14 N4C RF 台積電宣布 2028 年量產 A14 製程 同步提出多項新製程技術提升運算效能 台積電設定於 2028 年量產 A14 製程技術，同時發表多項新製程路線圖，強化未來運算效能。 台積電稍早於2025年北美技術論壇中揭曉下一世代A14製程技術，鎖定高效能運算、智慧型手機、汽車，以及物聯網等應用，並且標榜相比今年稍晚將進入量產的N2製程可在相同功耗下提升15%執行效能，或是在相同效能下減少30%功耗，並且可讓電路邏輯密度提高20%。 同時，台積電預計A14製程技術將在2028年開始投入量產，更強調目前開發進展順利，良率甚度優於原本預期表現，同時也說明結合本身在奈米片電晶體的設計技術與最佳化經驗，更將其TSMC NanoFlex標準單元架構發展為NanoFlex Pro，藉此實現 Mash Yang 6 天前
產業消息 hpc AI SK hynix 超算 HBM3 高頻寬記憶體 SK Hynix 宣布完成 HBM3 高頻寬記憶體開發，傳輸性能達 819GB/s 、單顆粒最高 24GB 韓國 SK Hynix 宣布完成新一代高頻寬記憶體 HBM3 的開發，將作為 HBM2E 之後的下一代產品，相較 HBM2E 進一步提升容量與傳輸性能，傳輸性能最高可達 819GB/s 。 HBM3 同樣鎖定非消費市場的專業應用而來，包括高性能的資料中心、 AI 機器學習以及 HPC 等。 ▲ HBM3 傳輸性能較 HBM2E 提升 78% ，單顆粒容量亦自 16GB 提升到最大 24GB HBM3 將儲存容量進一步提升到單一顆粒最大 24GB ，是透過 TSV 穿孔技術將 12 個晶片堆疊而來，晶片厚度約略與 A4 紙厚度相近、為 30μm ，其傳輸性能比起 HBM2E 提升 78%， Chevelle.fu 3 年前
