SK hynix 宣布量產 HBM2E 超頻寬記憶體,可達 460GBps 性能、單顆粒達 16GB

2020.07.06 07:01PM
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照片中提到了HBM2E、HBM2E、SK hynix,跟SK海力士、哈瓦爾有關,包含了動態隨機存取存儲器、高帶寬內存、固態硬盤

SK hynix 宣布開始量產去年 8 月所發表的 HBM2E 高頻寬記憶體,這是 SK hynix 新一代的 HBM 記憶體,每個針腳傳輸速度達 3.6Gbps 、可同步進行 1,024 個 I/O 通道傳輸,單晶片最高傳輸性能達 460GBps 。

HBM2E 採用 TSV 技術,以 8 個 16Gb 晶片堆疊、單晶片容量可達 16GB ,相較 SK hynix 當前的 HBM2 容量大了一倍以上。

HBM 記憶體具備高速傳輸、大容量與低功耗等特性,但單價也較常規的 DDR RAM 、 GDDR RAM 更高,多半用於加速器、 超級電腦的定製處理器等領域,僅有 AMD 曾在消費級的 Radeon Vega 、 Radeon VII 採用 HBM 記憶體,而接下來傳聞中的" Big Navi " 會否延續 Vega 架構使用 SK hynix 的 HBM2E 呢?或是回歸成本考量僅用於超算領域的 Radeon Instinct 產品上。

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