SK hynix 宣布量產 HBM2E 超頻寬記憶體，可達 460GBps 性能、單顆粒達 16GB

SK hynix 宣布開始量產去年 8 月所發表的 HBM2E 高頻寬記憶體，這是 SK hynix 新一代的 HBM 記憶體，每個針腳傳輸速度達 3.6Gbps 、可同步進行 1,024 個 I/O 通道傳輸，單晶片最高傳輸性能達 460GBps 。

HBM2E 採用 TSV 技術，以 8 個 16Gb 晶片堆疊、單晶片容量可達 16GB ，相較 SK hynix 當前的 HBM2 容量大了一倍以上。

HBM 記憶體具備高速傳輸、大容量與低功耗等特性，但單價也較常規的 DDR RAM 、 GDDR RAM 更高，多半用於加速器、 超級電腦的定製處理器等領域，僅有 AMD 曾在消費級的 Radeon Vega 、 Radeon VII 採用 HBM 記憶體，而接下來傳聞中的" Big Navi " 會否延續 Vega 架構使用 SK hynix 的 HBM2E 呢？或是回歸成本考量僅用於超算領域的 Radeon Instinct 產品上。