半導體晶片研發中心正式動土，代表三星持續強化自身半導體晶片技術發展決心，並且計畫在先進製程技術發展與台積電等業者加強競爭能力。
三星宣布，位於韓國京畿道龍仁市器興園區的新半導體晶片研發中心正式動土，同時將在2028年以前投入20兆韓元推動先進製程技術發展。
而近期正式獲得南韓總統特赦，再次重掌三星集團的三星副會長李在鎔，稍早與100多名三星主管一同參與此次破土典禮。
選在器興園區建立新半導體晶片研發中心，顯然對三星別具意義，因為這裡是三星在40多年前開始製造生產其半導體晶片產品的地方，並且從1992年開始加入生產64MB動態記憶體 (DRAM)。
新半導體晶片研發中心約佔地10.9萬平方公尺，將投入晶片設計、推動晶片代工技術與儲存元件等半導體業務發展，預計在2025年正式啟用。
至於此次宣布半導體晶片研發中心正式動土，更代表三星持續強化自身半導體晶片技術發展決心，並且計畫在先進製程技術發展與台積電等業者加強競爭能力。
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