德州儀器的NexFET™ N通道功率 MOSFET 實現業界最低電阻

(台北訊,2015年1月22 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出 NexFET™ 產品線的 11 款新型 N 通道功率 MOSFET,包括擁有業界最低導通電阻 (Rdson) 且採用 QFN 封裝的 25 V CSD16570Q5B 和 30 V CSD17570Q5B,其適合熱插拔和ORing應用。此外,TI 針對低電壓電池供電型應用的新型 12-V FemtoFET™ CSD13383F4 在採用 0.6 公釐 x 1公釐的纖巧型封裝情況下實現了比同類競爭裝置低 84% 的極低電阻。如需取得更多資訊、樣品或參考設計,敬請參訪www.ti.com/csd16570q5b-pr-tw

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率,同時在電腦伺服器和電信應用中確保安全的運作。例如:25 V CSD16570Q5B 支援 0.59 mΩ的最大Rdson,而 30 V CSD17570Q5B 則實現了 0.69 mΩ的最大Rdson。請閱讀一篇部落格,題為「針對採用熱插拔和ORing FET 控制器設計的功率 MOSFET 安全工作區 (SOA) 曲線」。下載一款採用 TI CSD17570Q5B NexFET的12 V、60 A 熱插拔參考設計

TI 的新型 CSD17573Q5B 和 CSD17577Q5A 可與針對 DC/DC 控制器應用的LM27403搭配使用,以構成一款完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率 MOSFET 則可與諸如TPS24720等 TI 熱插拔控制器配套使用。請下載應用筆記「穩固的熱插拔設計」,瞭解如何將一個電晶體選用為傳輸元件,以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

新型NexFET產品及主要特點

裝置型號

應用

Vds/Vgs

封裝 (公釐)

Rdson最大值 (mΩ)

Qg (4.5) (nC)

4.5V

10V

CSD16570Q5B

ORing / 熱插拔

25/20

QFN 5x6 (Q5B)

0.82

0.59

95

CSD17570Q5B

30/20

0.92

0.69

93

CSD17573Q5B

低端降壓 / ORing / 熱插拔

30/20

QFN 5x6 (Q5B)

1.45

1.0

49

CSD17575Q3

低端降壓

30/20

QFN 3.3x3.3 (Q3)

3.2

2.3

23

CSD17576Q5B

QFN 5x6 (Q5B)

2.9

2.0

25

CSD17577Q5A

高端降壓

30/20

QFN 5x6 (Q5A)

5.8

4.2

13

CSD17577Q3A

QFN 3.3x3.3 (Q3A)

6.4

4.8

13

CSD17578Q3A

9.4

7.3

7.9

CSD17579Q3A

14.2

10.2

5.3

CSD85301Q2

雙路獨立 FET

20/10

QFN 2x2 (Q2)

27

不適用

4.2

CSD13383F4

負載開關

12/10

FemtoFET 0.6x1.0 (0402)

44

不適用

2.0

供貨情況、封裝和價格

FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產品可透過 TI 及其授權販售商批量採購,前者建議售價為每一千顆美金 0.10 元,後兩者的建議售價為每一千顆美金 1.08 元。

關於 TI NexFET功率 MOSFET

TI 的NexFET功率 MOSFET 改善了高功率計算、網路、工業和電源應用中的能源效率。此類高頻、高效率的類比功率 MOSFET 讓系統設計人員能夠運用現有最先進的 DC/DC 電源轉換解決方案。

取得有關 TI 電源管理產品系列的更多詳情:

 

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