科技應用 intel IEDM 2023 Intel 於 IEDM 2023 展示創新 3D 堆疊 CMOS 技術 Intel在國際電子元件會議展出結合晶片背部供電與接觸的先進3D堆疊技術，朝向高效能微處理器發展邁進。 在今年度的IEEE國際電子元件會議 (IEDM 2023)中，Intel展示其結合晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS (互補金屬氧化物半導體)電晶體技術進展，強調在晶片背部供電技術研究突破，率先提出可在相同300mm (12吋)直徑規格晶圓整合矽電晶體與氮化鎵 (GaN)電晶體的大規模3D單晶設計，而非像往常必須透過封裝技術實現。 Intel資深副總裁暨元件研究部總經理Sanjay Natarajan表示：「我們正進入製程技術的埃米世代 (Angstrom era)，並且在四年內推 Mash Yang 1 年前
