堆疊架構加入 DRAM , Sony 宣布可進行 1,000fps 高速攝影之感光元件

圖片來源: Sony
現在有越來越多的相機與手機相機可支援高速攝影,而 Sony 在美國的 ISSCC 半導體峰會活動中展示一項堆疊式 CMOS 元件技術,在背照式感光層與底下的電子線路中間添加 DRAM ,使數據可高速且更直接寫入 DRAM ,使其達到能進行 Full HD  1,000fps 的驚人拍攝速度,同時對靜態拍攝而言,可使拍攝高速移動動體時減少焦平面失真變形的優點。此感光元件技術搭配 ISP 後,仍可將高速拍攝所記錄的資訊以正常的速度輸出,且輸出 19.3MP 的靜態影像僅需 1/120 秒,相較既有產品提升 4 倍速度;此外依智慧手機的使用趨勢,可透過設定機制進行偵測追蹤目標的突然變化而啟動高速拍攝。



這張感光元件的解析度為 5,520 x 3,840 ,有效畫素為 21.2MP ,尺寸為 1.2.3 吋,這張感光元件是基於 Sony 的堆疊式 CMOS 技術進行延伸, Sony 表示雖此結構相當複雜但已經能兼具生產品質與可靠性。

新聞來源: Sony , AV.Watch

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