三星7nm FinFET LLP製程加持 ARM處理器運作時脈能突破3GHz

三星稍早宣布，將與ARM進一步合作7nm FinFET LLP，以及5nm FinFET LPE製程技術，其中7nm FinFET LLP製程技術將會在今年下半年試產，預期將在2019年進入量產階段，而ARM方面將與三星合作Artisan POP技術授權，同時也將包含ARM旗下DynamIQ技術授權。

而藉由製程技術縮減，三星預期將可讓ARM架構處理器運作時脈可突破3GHz，意味ARM架構處理器運作效能將能更具體與Intel為首的x86架構處理器比擬，同時也呼應先前ARM、Qualcomm均強調未來處理器產品將能進一步與傳統PC抗衡的說法。

除了今年將進入7nm製程發展，並且準備進入5nm製程發展之餘，三星也預告接下來的目標將會放在3nm製程技術，意味三星旗下處理器產品將準備進入更小製程發展之外，包含Qualcomm等廠商所製造的處理器也將進入更小製程，並且將使Intel面臨更大競爭壓力。

至於藉由更小製程讓處理器運作時脈提昇至3GHz以上，意味三星接下來也準備藉由ARM架構處理器進軍筆電市場發展。