三星7nm FinFET LLP製程加持 ARM處理器運作時脈能突破3GHz

2018.07.06 11:08AM
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是藉助三星7nm製程,ARM架構處理器運作時脈將可突破3GHz這篇文章的首圖

著力於7nm、發展靠5nm、放眼到3nm是三星目前的設計規劃,預計推出的7nm產品也可能進一步將時脈拉高到3GHz。

首圖

三星稍早宣布,將與ARM進一步合作7nm FinFET LLP,以及5nm FinFET LPE製程技術,其中7nm FinFET LLP製程技術將會在今年下半年試產,預期將在2019年進入量產階段,而ARM方面將與三星合作Artisan POP技術授權,同時也將包含ARM旗下DynamIQ技術授權。

而藉由製程技術縮減,三星預期將可讓ARM架構處理器運作時脈可突破3GHz,意味ARM架構處理器運作效能將能更具體與Intel為首的x86架構處理器比擬,同時也呼應先前ARM、Qualcomm均強調未來處理器產品將能進一步與傳統PC抗衡的說法

除了今年將進入7nm製程發展,並且準備進入5nm製程發展之餘,三星也預告接下來的目標將會放在3nm製程技術,意味三星旗下處理器產品將準備進入更小製程發展之外,包含Qualcomm等廠商所製造的處理器也將進入更小製程,並且將使Intel面臨更大競爭壓力。

至於藉由更小製程讓處理器運作時脈提昇至3GHz以上,意味三星接下來也準備藉由ARM架構處理器進軍筆電市場發展。

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