製程全攻略 (54353) - 癮科技 Cool3c

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照片中提到了PUTTING IT TOGETHER、SERVER "ROME"、~1000mm? cumulative area in leading-edge 7nm/12nm，包含了橙子、Advanced Micro Devices公司、中央處理器、禪宗2、py

硬科技：AMD的CPU製程優勢和Intel的缺貨危機(下)

前情提要。處理器的世界也是有「超熱 + 超大 + 超貴 = 超生」這條約定俗成的不成文準則，當各位科科仔細看完下面這張從雙處理器伺服器一路到中階桌機、AMD Zen2家族與Intel Cascade Lake / Coffee Lake的比較表，完全不難理解為何AMD近來可以四處攻城掠地的理由，而Intel卻只能為了個人電腦CPU的供貨不足而公開道歉，至於這把缺貨之火會不會一路燒到金雞母Cascade Lake-SP體系的Xeon，就謝謝再見不研究了，不幸烏鴉嘴中了請科科們不要砍我，聽說Intel新一代的Xeon平台「Whitley」，初代CPU「Cooper Lake」還是繼續擠著14nm製

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照片中提到了AMDA、AMDA、1ST GENERATION，跟Advanced Micro Devices公司、Advanced Micro Devices公司有關，包含了軟件、py、中央處理器、禪宗2

硬科技：AMD的CPU製程優勢和Intel的缺貨危機(上)

2019年12月9日「美國PTT」Reddit有一則討論，大意是這樣的：台雞店... 呃，台積電替AMD代工生產的7nm製程8核心CCD (Core Complex Die)，單一晶粒面積只有74平方公釐(這數字眾多紛紜，以AMD官方公佈為主)，以完整8核心都可正常運作的標準，良率高達93.5%，一片12吋晶圓可取得749個8核心晶片，足以用來生產187顆32核心的EPYC或著93顆64核心EPYC。「反觀」28核心的Intel的14nm製程Xeon，Cascade Lake XCC單一晶粒高達928平方公釐(32 x 29mm，筆者對此存疑，太大了，接近700比較合理)，在相同的晶圓缺陷率

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台積電認為半導體製程可縮至0.1nm 但晶片效能成長指標應結合整合應用功能

台積電研發負責人黃漢森透露現行以碳奈米管技術可將半導體製程工藝下探至1.2nm，未來製程工藝更可為縮至0.1nm，等同氫原子級別大小，但不能再只是以製程技術定義其效能表現，而是要看更全面的應用整合效果，並且應該以全新權衡標準看待處理器產品。今年8月在Hotchips 2019便提出摩爾定律依然有效，但將不再以製程技術描述晶片效能成長的看法，台積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森稍早於台灣SEMICON 2019活動中，再次強調摩爾定律將會持續存在，但強調製程下探並非唯一定義晶片效能成長指標。同時，黃漢森也透露現行以碳奈米管技術可將半導體製程工藝下探至1.2nm，未來製程工藝更可為縮至0.

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硬科技：AMD 7nm製程CPU、GPU外科科們更該知道的事

「嗯，可以，很不錯，這個很AMD，很像Lisa Su時代領導的AMD，極度務實，穩紮穩打，然後也沒講太多細節」大概是筆者對這次「7nm製程花火大會」唯一的感想，即使嚴格說來，乍看之下，沒啥實質的內容，在筆者眼中只留下了滿天的煙霧。本月初的AMD “Next Horizon” 公佈了採用台積電7nm製程CPU與GPU的樣品與概要，這也是繼20年前的K7時代後，AMD再次取得「帳面上」對Intel的製程優勢。也毫不令人意外的，AMD先以高單價高利潤的高階產品線：伺服器的EPYC與做為「伺服器加速器」的Radeon Instinct MI，當成7nm製程的第一砲。但在「世界

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是往更小製程或更多核心發展？ Intel認為符合最佳效能需求才是處理器設計重點這篇文章的首圖

Intel認為不論製程或核心符合最佳效能需求才是處理器設計重點

Intel認為製程技術固然重要，就像是核心數量設計上的考量，並非數量越多就能帶來更好效能表現，在製程方面其實也有類似考量，最主要還是看實際應用需求，並且強調在核心本質上的精進其實更加重要。在此次推出第9代Core i系列處理器，以及新款Core X系列與採用28核心設計的Xeon W-3175處理器活動裡，針對Intel持續將處理器最高核心數量提昇的作法，Intel客戶運算事業群桌上型電腦產品事業部總經理Brandt Guttridge強調，最主要還是聚焦在使用者實際使用需求，將在核心數量與效能、電功耗等表現取得平衡，藉此讓處理器能發揮更好使用效益。如同日前Intel客戶運算事業群效能部門

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是藉助三星7nm製程，ARM架構處理器運作時脈將可突破3GHz這篇文章的首圖

三星7nm FinFET LLP製程加持 ARM處理器運作時脈能突破3GHz

著力於7nm、發展靠5nm、放眼到3nm是三星目前的設計規劃，預計推出的7nm產品也可能進一步將時脈拉高到3GHz。三星稍早宣布，將與ARM進一步合作7nm FinFET LLP，以及5nm FinFET LPE製程技術，其中7nm FinFET LLP製程技術將會在今年下半年試產，預期將在2019年進入量產階段，而ARM方面將與三星合作Artisan POP技術授權，同時也將包含ARM旗下DynamIQ技術授權。而藉由製程技術縮減，三星預期將可讓ARM架構處理器運作時脈可突破3GHz，意味ARM架構處理器運作效能將能更具體與Intel為首的x86架構處理器比擬，同時也呼應先前ARM、Qu

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是攻獨人牲：市場對AP的效能追求近乎瘋狂，然製程始終是道難關這篇文章的首圖

攻獨人牲：市場對AP的效能追求近乎瘋狂，然製程始終是道難關

細看2011以及2012年的智慧手持設備應用處理器（AP）產業，不難發現除了Tegra 3以外的架構較為特殊以外，多數廠商在推出時程的產品多以時脈小幅提昇為主，例如三星Exynos 4212、TI OMAP 4470以及高通MSM8960，幾乎都是這樣的升級小改款產品。回歸主導嵌入式處理器的ARM的理念，現在的發展速度也許已經超越當初預期"為3年後的產品規劃"的速度，由於智慧手機以及平板的熱潮，加上ARM正式被微軟Windows 8所支援，短短的幾年內，ARM架構轉眼變成在消費市場可以與Intel、AMD分庭抗禮的新勢力，一切來的太突然，也似乎產生始料未及的市場革命。跳轉繼

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