產業消息 SSD 固態硬碟 SK hynix 4D NAND Flash SK hynix 宣布推出 176 層 4D NAND Flash 技術，除當前 512Gb 版還將開發 1Tb 版本 韓國 SK hynix 宣布新一代的 4D NAND Flash ，除了將堆疊層數提升到 176 層以外 ，全新的 PUC ( Peri. Under Cell )技術藉由將原本的外圍電路( Peri. )堆疊到顆粒單元( Cell )下方，進一步減少單位面積，容量可達 512Gb 。 SK hynix 的 4D NAND Flash 預計在 2021 年用於行動產品，同時也規劃用於消費與企業級 SSD 產品。 ▲ SK hynix 的 PUC 技術將外圍電路配置在顆粒單元下方 Sk hynix 的 4D NAND Flash 為 176 層 512Gb TLC 顆粒，較現行 96 層產品提升 Chevelle.fu 4 年前
