高通發表第二款5G連網數據晶片Snapdraogn X55 功耗更低 可搭配更輕薄手機 同步揭曉新天線設計

2019.02.20 01:00PM
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新款Snapdragon X55採用更小製程、更小電功耗表現,意味Qualcomm提出的新款5G連網機種設計,可以套用在厚度更輕薄手機產品,並且延長裝置電力使用時間。

首圖

繼2016年在香港4G/5G Summit大會上揭曉對應5G連網需求的數據晶片X50之後,Qualcomm接續宣布推出第二款5G連網數據晶片Snapdragon X55,主要將Snapdragon X50採用的10nm FinFET製程技術進展至7nm FinFET製程,藉此與同樣以7nm FinFET製程打造的Snapdragon 855處理器在電力功耗匹配。

原本以為Qualcomm在今年將會以對應毫米波 (mmWave)與6GHz以下頻段的Sanpdragon X50數據晶片,搭配更輕薄設計的連網天線模組對應5G連網需求,但稍早Qualcomm則是確認將推出全新第二款5G連網數據晶片Snapdragon X55,在Snapdragon X50設計基礎上加入支援高達7Gbps下載速度表現,比起Snapdraogn X50數據晶片對應最高5Gbps下載速度表現提昇許多,分別對應TDD與FDD兩種運作模式,並且相容NSA非獨立組網與SA獨立組網連接模式。

而Snapdragon X55數據晶片在4G LTE連接表現也同樣有所提昇,支援高達2.5Gbps下載表現,幾乎是Snapdragon X50數據晶片可達5G連網速度一半左右,對應LTE Cat.22規格、7相載波聚合,並且支援4×4 MIMO及256-QAM天線連接。

此外,相比Snapdragon X50數據晶片採用7nm FinFET製程設計,Snapdragon X55數據晶片採用的是7nm FinFET製程,因此預期能有更低耗電與發熱表現,並且可配合同樣以7nm FinFET製程打造的Snapdragon 855處理器使用。

同時,Qualcomm也宣布推出全新連網天線模組QTM525,不但可應用在8mm厚度機身設計,並且能在機身上下、左右各配置一組,藉此加強手機在5G連網使用表現,在連網頻段部分更在28GHz與39GHz規格基礎上,額外新增支援26GHz頻段,讓手機在5G連網表現更可對應全球連接需求,分別支援北美、日本、歐洲、韓國、澳洲地區電信業者所提出5G連網技術規格。

除了針對終端裝置設計需求提出全新5G應用設計方案,Qualcomm也針對連接需求提出全新5G包覆追蹤解決方案QET6100,以及自動天線諧調解決方案QAT3555,藉此改善室內網路覆蓋率,並且藉由更小封裝設計讓設備商能以此類解決方案打造產品。

依照Qualcomm說明,5G連網解決方案之所以設計困難,在於必須支持不同地區採用5G連網技術,其中包含不同的5G網路使用頻譜、不同佈署方式,甚至必須向下相容現有的4G LTE連網技術,另外也不僅需要解決裝置端的連接模式,更要設法改善從裝置端到連接端,以及擴展到更大連接範圍應用模式,加上更多元化的使用場景,使得5G連網技術發展相對複雜。

目前Qualcomm所推出的5G連網數據晶片,已經可以對應全球多模使用需求,並且支援毫米波、6GHz以下頻段,支援各地區電信業者使用技術規範,另外也與全球超過20家電信業者、20家OEM廠商合作,藉此打造更大5G連網生態。

此次宣布推出的Snapdragon X55數據晶片,將先針對合作夥伴提供測試樣品,預計會在今年內宣布推出正式商用產品,或許最快會在今年下半年推出。

隨著Snapdragon X55問世,顯然Qualcomm希望在5G連網應用競爭上,再次與三星推行的Exynos Modem 5100、Intel打造的XMM 8160、華為推出的Balong 5000,以及聯發科預計推出的Helio M70數據晶片持續拉開距離,進而在5G連網應用發展維持領先腳步。

另一方面,從新款Snapdragon X55採用更小製程、更小電功耗表現,意味Qualcomm提出的新款5G連網機種設計,可以套用在厚度更輕薄手機產品,並且延長裝置電力使用時間,似乎也代表Qualcomm將能以此向蘋果喊聲,呼籲雙方可在5G連網需求再次恢復合作。

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