Sandisk在2025年2月的投資者日宣布活用快閃記憶體的新形態記憶體HBF(高頻寬快閃記憶體)，這項記憶體技術有望突破目前HBM記憶體容量匱乏的問題，可在相較192GB HBM記憶體使用相同的顆粒數量實現4TB HBF記憶體，並兼顧性能與容量；Snadisk宣布設立HBF技術顧問委員會，其中GPU業界傳奇架構師Raja Kuduri將擔任其中一位技術顧問。
HBF的概念令人想起多年前AMD嘗試過的SSG技術，即是透過單位容量較高的NAND快閃記憶體取代DRAM，不過畢竟當時NAND的效能與DRAM落差過大，並未因此獲得青睞；Sandisk的HDF則是把HBM的概念活用到NAND，意圖為AI加速運算帶來突破性的容量。
在目前的技術概述中，HBF取HBM記憶體將DRAM垂直堆疊的概念，將最多16層的NAND垂直堆疊，並透過TSV矽穿孔技術連接，在利用中介層基板與GPU直連，最終的目標是提供相當於HBM的頻寬、同時以相同的成本使單位容量提升8至16倍，理論上可實現達4TB的VRAM。
Sandisk將透過專利的BiCS 3D NAND與CBA晶圓鏈合技術實現低彎曲率的16層堆疊，Raja Kuduri在個人推特提到，HBM的重點是提升每瓦與每面積頻寬，HBF則是提升每瓦與每面積的記憶體容量，是兩者在概念的根本不同性。
Sandisk並未把HBF作為HBM的取代品，因為NAND在延遲遠高於DRAM，但由於頻寬達到一定的水準，更大的記憶體容量有助於作為HBM的額外記憶體層，能在AI推論負載、大型AI模型開發等著重循序讀取大量資料的應用可發揮優勢。
除了Raja Kuduri以外，Snadisk還聘請加州大學柏克萊分校榮譽教授、Google傑出工程師與RISC架構、RAID共同開發者暨圖靈獎得主David Patterson擔任顧問成員。
