2018-02-01 01:06:26 by 楊又肇 (Mash Yang) @ Mash-Digi [引用來源]
固態技術協會 (JEDEC)稍早公佈UFS 3.0版本標準JESD220D與JESD223D，另外也公佈UFS記憶卡1.1版本標準JESD220-2A，其中UFS 3.0將採用HS-G4設計規範，可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps，亦即為UFS 2.1採用HS-G3設計規範的傳輸頻寬2倍左右。而三星稍早已經透露將在今年第一季內推出首款採用UFS 3.0儲存元件的產品，因此將可能應用在即將推出的Galaxy S9系列機種。
三星在推出Galaxy S6系列時宣布導入存取速度更快的UFS 2.1儲存元件，因此在Galaxy S9系列採用傳輸效率更高的UFS 3.0儲存元件似乎不算意外。但無論是Qualcomm Snapdragon 845，或是三星Exynos 9810的說明並未特別提及是否支援UFS 3.0，因此不確定若Galaxy S9系列支援此規範設計的儲存元件，是否藉由額外控制元件管理資料存放，或是直接透過處理器管理。
由於UFS 3.0設計規範可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps，配合UFS支援雙通道、雙向讀寫特性，因此資料傳輸頻寬最高可達23.2Gbps，對應每秒傳遞2.9GB資料量效果，對於存取資料越來越龐大，同時反應速度必須更快的智慧型手機發展，將有更好使用優勢。
另外，UFS 3.0規範也讓資料錯誤校正效率提昇，以2.5v電壓即可驅動，同時也支援新版NAND Flash設計，支援在攝氏零下40度至105度的極端溫度環境下正常使用，因此可應用在自動駕駛車輛或深度學習等進階需求。至於接腳部分則支援MIPI規範，其中接腳採MIPI M-PHY v4.1規範設計，而資料傳輸則依據MIPI UniProSM v1.8設計。
而UFS記憶卡1.1版本設計則加入相容HS-G1、HS-G2與HS-G3設計規範，而整體資料存取速度最高可達每秒1.5GB。
