美光與英特爾率先推出25 nm 3-bit-per-cell NAND 快閃記憶體

by news.tw
2010.08.19 02:48PM
 美光與英特爾率先推出25 nm 3-bit-per-cell NAND 快閃記憶體

業界容量最大、尺寸最小的 NAND 裝置

為眾多消費性儲存應用提供成本優勢

 

  美光科技 (Micron Technology Inc.) 與英特爾 (Intel Corporation) 宣佈推出採用 25 nm 製程技術3-bit-per-cell (3bpc) NAND 快閃記憶體,該 NAND 裝置擁有業界最大容量與最小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶,該產品預計在今年年底量產。

USBSD (Secure Digital) 快閃記憶體卡和消費性電子產品相比,新推出的 25 nm 64Gb 3bpc 記憶裝置的成本更低且容量更大。快閃記憶體主要用於儲存資料、照片或其它多媒體,以供電腦和數位裝置  (數位相機、可攜式媒體播放器、數位攝影機和各類型個人電腦) 之間的資料擷取和傳輸,而以上這些市場一直承受來自低價與高容量的壓力。

由美光與英特爾雙方合資籌組建的 NAND 快閃記憶體公司 IM Flash Technologies (簡稱 IMFT)  所開發的這項 64Gb / 8Gb 25 nm 微影技術,可提供每單位 3 位元的資料容量,而傳統技術只能提供 1 位元 (單層式儲存) 2 位元 (多層式儲存) 3bpc 在業界也被稱為三層式儲存 (triple-level cell, 簡稱 TLC)  

該裝置較相同容量的美光和英特爾 25 nm MLC (多層式儲存) 尺寸節省至少 20%,是目前市面尺寸最小的單一 8Gb 裝置。從現今電子產品有限的設計空間來看,小尺寸快閃記憶體對消費性終端產品快閃記憶體卡顯得尤其重要。此款產品晶片面積為131 mm²,符合業界標準的 TSOP 封裝。

美光 NAND 解決方案事業部副總裁 Brian Shirley 指出,NAND 快閃記憶體對消費性電子產品的重要性日益提高,提早轉入 25 nm TLC 對於 NAND儲存產品組合的持續擴張實為一大競爭優勢。美光正積極根據包括 Lexar Media 和美光較大容量終端產品等的設計,打造符合需求的 8Gb TLC NAND 快閃記憶體產品。

英特爾副總裁兼英特爾 NAND 解決方案事業部總經理 Tom Rampone 表示,隨著業界尺寸最小的 25 nm 晶片在1月問世後,25 nm 3bpc 產品的進度也緊隨其後,英特爾將繼續加速研發工作,為客戶提供一系列卓越領先的產品。英特爾 計畫在新推出的 8Gb TLC 25 nm NAND 裝置的基礎上,利用 IMFT 在設計和製造上的優勢,為客戶提供更高容量、更具成本競爭力的產品。

 

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