高通稍早發表了新一代的快速充電標準 QuickCharge 3.0 ，這項規範號稱可使行動設備在 35 分鐘內將電量充至 80% ，同時藉由 INOV 的進化，強調比起 QuickCharge 2.0 還節能了 38% ，並且在電池保護等有更好的防護措施。
QuickCharge 3.0 強調充電效率比起 QuickCharge 2.0 快了 27% ，或是以功耗比較則降低 45% ，至於充電時間則比 QuickCharge 1.0 快了兩倍。相較於 QuickCharge 2.0 ，除了既有的 5V 、 9V 、 12V 以及 20V 之外， QuickCharge 3.0 則可提供以 200mV 為單位，自 3.6V 到 20V 之間調節，使設備可選擇合適的電壓降低發熱以及減少充電時的耗損。
目前預計採用這項技術的處理器將包括 Snapdragon 820 、 620 、 618 以及全新的 Snapdragon 617 以及 430 ，預計將搭載於明年度的終端產品上。 QuickCharge 3.0 當然也可向下相容，同時可支援 USB Type-C 端子。
新聞來源：高通
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