高通推出 QuickCharge 3.0 規範,預計將陸續用於 Snapdragon 820 、 620 、 618 、617 與 430 上

2015.09.15 08:06PM
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是高通駁斥 Snapdragon 820 過熱傳聞,表示絕對滿足 OEM 廠對終端散熱與效能的要求這篇文章的首圖

高通稍早發表了新一代的快速充電標準 QuickCharge 3.0 ,這項規範號稱可使行動設備在 35 分鐘內將電量充至 80% ,同時藉由 INOV 的進化,強調比起 QuickCharge 2.0 還節能了 38% ,並且在電池保護等有更好的防護措施。

QuickCharge 3.0 強調充電效率比起 QuickCharge 2.0 快了 27% ,或是以功耗比較則降低 45% ,至於充電時間則比 QuickCharge 1.0 快了兩倍。相較於 QuickCharge 2.0 ,除了既有的 5V 、 9V 、 12V 以及 20V 之外, QuickCharge 3.0 則可提供以 200mV 為單位,自 3.6V 到 20V 之間調節,使設備可選擇合適的電壓降低發熱以及減少充電時的耗損。

目前預計採用這項技術的處理器將包括 Snapdragon 820 、 620 、 618 以及全新的 Snapdragon 617 以及 430 ,預計將搭載於明年度的終端產品上。 QuickCharge 3.0 當然也可向下相容,同時可支援 USB Type-C 端子。

新聞來源:高通

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