科技應用 三星 intel ibm 台積電 1nm IBM 與三星發表 VTFET 設計實現 1nm 以下製程技術 Intel 則開始布局埃米等級製程技術 台積電則已經在今年5月宣布與台灣大學、麻省理工學院共同研究，透過鉍金屬特性突破1nm製程生產極限，讓製程技術下探至1nm以下。 在加州舊金山舉辦的IEDM 2021國際電子元件會議中，IBM與三星共同發表名為垂直傳輸場效電晶體 (VTFET)的晶片設計技術，強調將電晶體以垂直方式堆疊，並且讓電流也改以垂直方式流通，藉此讓電晶體數量密度再次提高之外，更大幅強化電力使用效率，並且突破現行在1nm製程設計面臨瓶頸。 相較傳統將電晶體以水平方式堆疊形式設計，垂直傳輸場效電晶體將能增加電晶體數量堆疊密度，並且讓運算速度提昇兩倍，同時透過讓電流以垂直方式流通，同時也讓電力損耗降低85%。 依照說明，若是應 Mash Yang 3 年前
