美光擴大 NAND 產能,將率先使用 1z nm 製程生產 DDR4 記憶體

2019.08.19 04:39PM
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美國美光宣布將率先採用全新的 1z nm 製程生產單顆 16Gb 的 DDR4 記憶體,相較現行 1y nm 製程, 1z nm 製程能夠進一步提升性能並降低成本。此外,位於新加坡的 Fab 10 記憶體生產廠房也在上周完成擴建,預計在 2019 年開始進行量產,不過工廠擴建計畫與生產計劃是評估市場需求後的結果,美光在擴建後並無劇烈增加產能的規劃。

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▲美光在新加坡強化記憶體產線

美光強調 1z nm 製程將達到業界最小尺寸,可作為生產常規型的 DDR4 、針對行動裝置的 LPDDR4 與圖形產品的 GDDR4 產品線等,當前 1z nm 的 16Gb DDR4 相對採用 1y nm 的 DDR4 能夠降低 40% 功耗。

美光計畫透過 1z nm 量產行動裝置用的 16Gb LPDDR4X 顆粒,並提供基於 UFS 規範的 uMCP4 封裝, uMCP4 封裝可在單一封裝堆疊 8 顆晶圓,實現 16GB RAM 的最大容量,較現行 LPDDR4 提升一倍。

同時採用 1z nm 的 LPDDR4X 不僅具備低功耗特色,還具備達 4,266Mbps 的傳輸性能,對於高 RAM 傳輸應用如 4K 影像撥放可較 1y nm 世代降低約 10% 功耗。

美光也預計提供基於 1z nm 晶片、混合 RAM 與儲存的解決方案,將自 3GB RAM 搭配 64GB 儲存到最大 8GB RAM 搭配 256GB 儲存等八種配置。

新聞來源: PC.Watch

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