為了降低高畫素元件發熱與耗電,三星提出使用 14nm FinFET 製程生產 144MP 感光元件的想法

2019.12.17 10:56AM

一般來說,用於相機的感光元件不太會追求最新的製程,先進製程通常會率先用在高單價、高密度的 CPU 或是 GPU 等 SoC 與邏輯 IC 上,不過隨著相機畫素密度提升,以及以手機相機高畫素需求引發的市場需求,根據三星在 IEDM 2019 所發表的想法,三星打算透過針對影像感測器特性最佳化的 14nm FinFET 製程技術生產新一代的 144MP 相機元件。

對於當前主流的 CMOS 感光元件而言,相較一般數位 SoC 、邏輯晶片需要更高的電壓藉此提供良好的類比特性,而對比當前 CMOS 主流的 28nm 製程,三星的特別版 14nm FinFET 製程能夠兼具良好的類比特色與低耗電的數位特性,如此一來還能減少元件發熱減少熱雜訊,若同樣用於 144MP 元件,則較 28nm 製程在 10fps 更新率的要求下減少 42% 功耗,在錄影所需的 12MP  30fps-120fps 錄影情境之下則可省下 37% 功耗。

由於感光元件與 SoC /邏輯 IC 特性的不同,基本上導入 14nm FinFET 製程的目的與提升畫素密度沒有直接關聯,而是降低架構上用於進行類比數位轉換、數位訊號放大等數位區塊運作的能源耗損、發熱等問題,但也可預期隨著感光元件畫素密度提高,處理的訊號資料量更多、更複雜,也該是時候使用更先進的製程解決功耗與發熱問題了。

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