拜高速通道技術持續突破，當前 IC 晶片的設計趨勢又有了變化，從過往的系統級單晶片 SoC 設計改以透過封裝方式集結更多功能的系統級封裝 SiP ，同時封裝方式亦從原本的 2D 往 3D 封裝發展，如 Intel 今年的 Lake Field 即是透過 3D 封裝方式把不同製程、不同機能的晶圓進行 3D 封裝的結果，而再 Hot Chips 前夕，三星電子也宣布其 3D 封裝技術 X-Cube ( eXtended-Cube )有了重大突破。
三星此次的 X-Cube 3D 封裝是透過 TSV 技術把 SRAM 封裝到 EUV 7nm 的測試晶片上，相較 2D 封裝除了可縮減封裝的面積以外，還可縮減 SRAM 到晶片的傳輸路徑，提升傳輸速度與減少傳輸的電功耗，並允許在晶片上封裝更大面積的記憶體。
三星半導體目前已規劃可用於 7nm 與 5nm 的 X-Cube 封裝技術，並計畫與其它無晶圓廠客戶進行合作，或許也有望看到高通、 NVIDIA 等三星半導體客戶在未來使用此封裝技術。
