三星半導體將在2027年推2nm背面供電技術與1.4nm製程量產,另外公布AI整合平台

2024.06.14 02:05PM

三星半導體現在鋒頭被台積電搶進,也成為Intel半導體業務的主要假想敵,但仍相當積極想爭取更多機會;三星半導體在美國舉行的晶圓代工論壇公布最新的半導體技術與稱為Samsung AI Solutions的整合AI平台,此外三星也強調2027年1.4nm製程量產也依照計畫順利進行,並強調過去一年在人工智慧相關業務增長80%,且除了先進製程以外還提供針對汽車、醫療、穿戴與物聯網的8吋晶圓延伸技術。

將於2025年與2027年推出SF4U製程與背面供電SF2Z製程

▲SF4U透過光學微縮改進PPA,SF2Z則使用背面供電技術

三星宣布兩項新的製程計畫,分別是預計2025年量產的SF4U與預計2026年量產的SF2Z;SF4U是透過光學微縮技術改善PPA(功率、性能與面積),而SF2Z則使用更具效益且干擾更少的BSPDN背面供電技術。BSPDN的概念如同Intel的PowerVIA技術,是將供電線路轉換到晶圓的背面,能夠進一步提升PPA,尤其適用於提升HPC晶片(處理器、加速器等)的性能。

AI解決方案Samsung AI Solutions

▲Samsung AI Solutions是利用AI提升晶片設計效率並縮減上市時間

三星也針對客戶AI客製化需求推出整合解決方案Samsung AI Solutions,透過AI輔助將晶片設計變的更高效能、低能耗與高頻寬,三星預計在2027年推出一款高整合的CPO整合AI解決方案,屆時將可實現高頻寬密度小型化、減低功耗與延遲與提升訊號完整性等設計輔助。

▲三星GAA技術將同樣應用於2nm製程

三星在2022年開始量產GAA技術,強調製程與良率已更為成熟,預期未來幾年將會持續擴大GAA技術導入,同時2024年下半年將量產使用GAA技術的第二代3nm製程SF3,未來2nm製程也將大量採用GAA技術。

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