NXP 在美國設立全新 6 吋射頻 GaN 晶圓廠,主攻 5G 射頻放大器市場需求

2020.10.12 12:25PM
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由於 GaN / Gallium Nitride 氮化鎵技術的高效率與訊號穩定特性,當前 GaN 廣泛用於高階變壓器、射頻放大等應用,而 NXP 恩智浦也看好 5G 功率射頻放大器對 GaN 技術的需求,宣布在美國亞利桑納州錢德勒設立 150mm 的 6 吋晶圓廠,主攻 GaN 射頻放大器產業,也是當前美國境內最先進的射頻 GaN 晶圓廠。

照片中提到了MEI、NG08N45W,包含了恩智浦半導體、恩智浦半導體、氮化鎵、半導體、集成電路

▲ NXP 在亞利桑那設立專注於射頻 GaN 的 6 吋晶圓廠

NXP 強調以發展 20 年 GaN 專業技術與無線通訊的知識結合,能改善辦到體的電子陷阱問題,將對包括 5G 基地台、工業、航太、國防等領域的先進基礎通訊設施帶來創新;同時這座工廠也將作為創新中心,使晶圓廠與 NXP 現場研發團隊協作,可針對當前與未來的 GaN 裝置加速開發、驗證與保護創新,縮短技術創新週期。

這座射頻 GaN 工廠已經通過認證,首批產品也將陸續推出,預計 2020 年底就可全速運轉達到產能滿載。

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