跟三星在3nm製程技術導入環繞式閘極結構 (GAA)電晶體的作法不同，台積電在第一代3nm製程技術依然維持採用鰭式場效 (FinFET)電晶體設計，但未來同樣也會在EUV光刻技術應用著力，不僅能藉由350W功率對應5nm製程技術使用，未來也能用於1nm製程技術。
強調未來也會強化EUV光刻應用
台積電在近期展開的國際固態電路研討會ISSCC 2021中，由董事長劉德音表示3nm製程技術進度超前，預計會在今年下半年進入試產，並且在2022年正式用於量產。
相較目前進入量產的5nm製程，台積電表示在3nm製程技術將可讓電晶體密度提高70%，並且讓晶片運作時脈可達生11%，或是讓電功耗降低27%。
不過，跟三星在3nm製程技術導入環繞式閘極結構 (GAA)電晶體的作法不同，台積電在第一代3nm製程技術依然維持採用鰭式場效 (FinFET)電晶體設計，但未來同樣也會在EUV光刻技術應用著力，不僅能藉由350W功率對應5nm製程技術使用，未來也能用於1nm製程技術。
此外，隨著製程技術持續縮減，未來晶片設計將會結合更多員堆疊應用模式，例如導入更多電晶體數量、嵌入更多記憶體模組，或是強化系統單晶片形式設計。
