三星電子宣布完成業界首個基於 12nm 製程的 DDR5 記憶體顆粒開發，並預計於 2023 年進行量產，將鎖定包括運算、資料中心與人工智慧等應用領域。三星此新型 DDR5 記憶體採用 12nm 製程，單顆粒為 16Gb DDR5 容量同時也完成與 AMD 的記憶體顆粒的相容性認證。
三星 12nm DDR5 的關鍵技術是能增加電容的新型 High-K 材質與改善關鍵電路特性，結合 EUV 技術，使這項技術生產的顆粒能有業界最高的密度，同時能將晶圓生產良率提升 20% ；此外依據最新的 DDR5 規範，三星 12nm DDR5 記憶體顆粒最高可達 7.2Gbps ，但同時能耗較既有產品減少 23% 。
