科技應用 台積電 3nm 2nm 台積電 2nm 製程 2025 年投入量產 同功耗下提高 10-15% 執行效能 3nm 製程下半年量產 台積電2nm製程技術採用奈米片電晶體 (Nanosheet)設計，藉此取代過往使用多年的鰭式場效應晶體管 (FinFET)設計，同時也能結合Chiplet小晶片設計方案，分別可對應行動裝置運算，以及高效能運算處理器設計需求。 在美國加州聖塔克拉拉恢復實體形式舉辦的北美技術論壇中，台積電宣布將於2025年開始投入2nm製程量產。 相比3nm製程，台積電表示2nm製程可在相同功耗下提高10-15%執行效能，而在相同效能下則可降低25-30%功耗。 在設計上，2nm製程技術採用奈米片電晶體 (Nanosheet)設計，藉此取代過往使用多年的鰭式場效應晶體管 (FinFET)設計，同時也能結合Chip Mash Yang 3 年前
產業消息 三星 台積電 3nm 2nm 三星 3nm 製程技術延後至 2022 年量產 2025 年進入 2nm 製程 三星的3nm製程技術將採用旗下GAA (全環繞柵極電晶體)技術，搭配MBCFET (多橋通道場效電晶體,Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor)技術，對比先前採用的5nm UV製程技術約可降低35%晶片佔用面積，並且提高30%運算效能，電力損耗則可減少50%。 三星表示，旗下3nm製程技術將延後至2022年投入量產，而2nm製程技術則預計在2025年推出。 在原本計畫中，三星計畫在今年內開始啟用3nm製程技術量產，但因為轉換進度受到影響，因此決定將投入量產時間延後至明年初，並且在2022年下半年推出第二代設計。而台積電方面，則是在今年8月也宣布 Mash Yang 3 年前
產業消息 5nm 台積電 3nm 2nm 台積電表示赴美設廠有利成長、與客戶溝通 吸引人才 明年上半年試產 3nm 製程 加速推進 2nm 製程 劉德音強調目前已經完成3nm製程技術設計，預計會在2021年上半年試產，並且加速2nm製程技術推進。此外，接下來也會推出以5nm製程為基礎強化的4nm製程技術，預計最快在2023年投入量產。 聽內容： 在中美貿易戰保持競爭優勢 在今日 (6/9)召開股東會中，台積電董事長劉德音表示在美國亞利桑那州設廠，實際上對台積電日後發展有利，同時也說明在此波中美貿易戰仍具有競爭優勢，預期今年資本支出不會改變，而下半年與全年展望目標也不會改變，並且持續往2nm、3nm製程推進，但5nm製程使用率可能會因為華為受美國出口技術限制影響，進而出現使用空窗期，但認為很快就會填補。 另外，劉德音也強調目前已經完成3n Mash Yang 5 年前
