美光 232 層 NAND 正式量產出貨,相較競品 TLC NAND 儲存密度高出 35% 以上

2022.07.27 10:36AM
照片中跟洛杉磯縣藝術博物館有關,包含了與非門、產品、平方毫米、產品、美光科技

現在基於 NAND 的固態硬碟技術已是各類數據密集型應用主流級的儲存技術,為了滿足各類應用, NAND 顆粒技術也持續推陳出新;美光今日宣布開始量產全球第一款 232 層 NAND 顆粒,具備全球密度最高的儲存密度,除了進一步提升容量,也帶來更好的能源效率,滿足自終端裝置自雲端資料中心等需求。

美光 232 層 NAND 已於新加坡晶圓廠量產,優先以封裝顆粒與透過美光 Crucial SSD 消費性產品系列向客戶出貨。

照片中跟喬治亞水族館有關,包含了光、快閃記憶體、美光科技、電腦硬件、計算機和信息技術

▲美光 232 層 NAND 進一步提升單位儲存密度,並且更為省電與快速

此次公布的 232 層 NAND 是以美光 176 層 NAND 技術的設計改進,也是證實美光具備將 NAND 提升至 200 層以上的能力的象徵,其密度高達每平方公釐 1.46Gb ,相較業界 TLC 競品高出 35% 至 100% 的密度,封裝尺寸也比美光前幾代縮減 28% ,能進一步減少主板空間並在更小空間提供更大容量。

美光 232 層 NAND 提供 2.4GB/s 的 I/O 速度,並具備低延遲、高吞吐量的優點,相對美光 176 層的介面數據傳輸提升 50% ,每晶粒寫入頻寬提升 100% ,同時讀取頻寬也提升 75% 。

美光在 232 層 NAND 首度採用六平面( 6-Plane ) TLC 生產型 NAND ,為目前具備最多平面的 TLC 快閃記憶體;同時亦為首款在生產中支援 NV-LPDDR4 產品,以低電壓介面特性,對比過去 I/O 介面的美位元傳輸可省下 30% 能耗,同時也相容舊款控制器與系統。

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