現在基於 NAND 的固態硬碟技術已是各類數據密集型應用主流級的儲存技術，為了滿足各類應用， NAND 顆粒技術也持續推陳出新；美光今日宣布開始量產全球第一款 232 層 NAND 顆粒，具備全球密度最高的儲存密度，除了進一步提升容量，也帶來更好的能源效率，滿足自終端裝置自雲端資料中心等需求。
美光 232 層 NAND 已於新加坡晶圓廠量產，優先以封裝顆粒與透過美光 Crucial SSD 消費性產品系列向客戶出貨。
▲美光 232 層 NAND 進一步提升單位儲存密度，並且更為省電與快速
此次公布的 232 層 NAND 是以美光 176 層 NAND 技術的設計改進，也是證實美光具備將 NAND 提升至 200 層以上的能力的象徵，其密度高達每平方公釐 1.46Gb ，相較業界 TLC 競品高出 35% 至 100% 的密度，封裝尺寸也比美光前幾代縮減 28% ，能進一步減少主板空間並在更小空間提供更大容量。
美光 232 層 NAND 提供 2.4GB/s 的 I/O 速度，並具備低延遲、高吞吐量的優點，相對美光 176 層的介面數據傳輸提升 50% ，每晶粒寫入頻寬提升 100% ，同時讀取頻寬也提升 75% 。
美光在 232 層 NAND 首度採用六平面( 6-Plane ) TLC 生產型 NAND ，為目前具備最多平面的 TLC 快閃記憶體；同時亦為首款在生產中支援 NV-LPDDR4 產品，以低電壓介面特性，對比過去 I/O 介面的美位元傳輸可省下 30% 能耗，同時也相容舊款控制器與系統。
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