美光宣布旗下 176 層 3D NAND 正式出貨，不僅只是堆疊層數突破新高，架構改善之下使得晶粒尺寸更緊湊，相較競爭對手當前產品高出 40% 層數，但仍藉美光專利 CuA 架構降低層本，將廣泛為手機、車用、消費電子產品與資料中心之固態儲存進一步提升容量，較上一代產品更改善 35% 的讀取與寫入延遲。
美光 176 層 3D NAND 已經開始量產，預計透過 Crucial 消費型 SSD 產品方式進行供貨，預計 2021 年推出採用相同技術的更多新產品。
美光 176 層 3D NAND 結合美光第五代 3D NAND 與第二代替換閘架構，並採用堆疊式替換閘架構、將傳統浮閘式轉換到全新電荷捕捉方式、 CuA 技術等方式，縮減晶粒尺寸並使每個晶圓具備更高的容量，同時也導入高導電性金屬字元線取代矽層，除了降低成本外，也藉由創新技術提升耐用度，對於航太黑盒子、影像監控高密集寫入有更長的產品壽命。
▲ 176 層 NAND 具備更高的單位容量數
176 層 3D NAND 相較美光 96 層 NDND 縮減 59% 尺寸與降低 48% 讀取延遲，可提供更良好的 QoS 服務品質， QoS 在資料中心能加速資料密集與工作負載，至於使用在智慧手機有助在多工情境迅速進行載入與轉換，強化多工與 5G 結合，在混合工作負載效能提高 15% 。
同時此 176 層 NAND 具備 ONF 匯流排，資料傳輸速率達 1,600MTps ，提高 33% ONFI 速度，有助加速系統啟動與應用效能，此優異的傳輸效率對於如車載環境，能夠在引擎啟動後達到近乎級時的回應。
